[发明专利]锗纳米膜柔性透明多沟道薄膜晶体管及其制造方法

权利要求书

1.一种锗纳米膜柔性透明多沟道薄膜晶体管的制造方法，其特征是，采用磁控溅射工艺在PEN衬底上镀上ITO以及氧化锌栅介质膜，随后采用光刻形成图案以及离子注入的方式形成掺杂区，采用光刻以及离子刻蚀的方式形成方孔层，采用湿法HF刻蚀的方式形成锗纳米膜层，通过转移在PEN衬底上形成锗纳米膜，最后通过光刻以及磁控溅射的方式分别形成顶部氧化锌栅极介质层与源漏栅极透明电极层，完成晶体管的制备。

2.如权利要求1所述的锗纳米膜柔性透明多沟道薄膜晶体管的制造方法，其特征是，一个实例中的具体制备步骤时如下：

a.选用PEN柔性材料作为衬底，首先将PEN放进盛有丙酮溶液的烧杯中，然后在超声波清洗器中清洗5分钟，随后使用异丙醇溶液将用丙酮清洗过的PEN在超声波清洗器中将丙酮清洗干净，得到清洁的衬底；

b.采用磁控溅射在PEN衬底上镀200nm厚ITO膜以及100nm厚氧化锌底部介质栅层膜；

c.选用GOI材料，在超声波清洗器中采用丙酮进行清洗，随后采用异丙醇洗净丙酮残留物，吹干GOI；

d.在GOI表面涂上1813正型光刻胶，并使用匀胶机，设置转速为4000rpm，转动时间为30s，将光刻胶甩均匀，随后使用光刻机以及制作好的掩膜版进行光刻形成特定的掺杂区图案，随后采用离子注入的方式进行N型注入，参数为注入能量为40kev，剂量为4*10¹⁵cm^-2，产生源漏掺杂区，在750℃的温度条件下，快速热退火10s之后，在丙酮溶液中除去光刻胶；

e.按照掩膜版上做好的标记，将源漏掺杂区与掩膜板上间距5um排列的正方形孔层进行对准光刻，显影后在GOI上形成间距5um排列的正方形小孔层，随后采用离子刻蚀的方式将正方形小孔上的硅去除；

f.在3:1的HF溶液中，放入之前做好的GOI，两小时后GOI上的埋氧层将被腐蚀干净，随后锗纳米膜层将脱落，将锗纳米膜层粘附于镀好膜的柔性PEN衬底之上，烘干；

g.在转移到PEN上的锗纳米膜上涂胶，用匀胶机甩均匀之后根据在正方形孔层上的标记进行对齐光刻，形成晶体管的栅极，随后采用离子刻蚀的方式，分别将锗纳米膜以及镀上的栅氧化物膜层刻蚀，与导电的ITO层形成欧姆接触；

h.去光刻胶然后对PEN上的器件进行匀胶之后，根据栅极的标记进行对准光刻，形成顶部栅介质层的图案；

i.最后，在形成的图案上进行磁控溅射，在顶部栅极镀100nm厚的氧化锌顶部栅介质层；

j.去光刻胶然后对形成顶部栅介质层的柔性器件进行涂胶后对准光刻，形成顶栅和源漏电极的光刻图案，采用磁控溅射的方式形成200nm厚的ITO顶部栅极以及源漏电极层，去胶之后，器件的制备完成。

3.一种锗纳米膜柔性透明多沟道薄膜晶体管，其特征是，PEN塑料衬底之上依次为氧化铟锡ITO薄膜、氧化锌栅介质层，氧化铟锡ITO薄膜上设置有N型源掺杂区从而形成两个ITO源电极，两个ITO源电极之间依次为未参杂区、N型漏掺杂区形成的ITO漏电极，在所述未参杂区上方是ITO沉积在氧化锌栅介质层形成的顶栅电极，氧化铟锡ITO薄膜经通孔引出有ITO底栅电极。

4.如权利要求3所述的锗纳米膜柔性透明多沟道薄膜晶体管，其特征是，所述两个ITO源电极外侧设置有结构相同的ITO源电极，用于增大源电极的面积；ITO漏电极通过互连线引出结构，用于增大漏电极的面积。