[发明专利]一种钳位反相器PUF的电路、电子装置及实现方法有效

专利信息
申请号: 201810418940.0 申请日: 2018-05-04
公开(公告)号: CN108763977B 公开(公告)日: 2021-09-17
发明(设计)人: 曹元;葛惟唯 申请(专利权)人: 河海大学常州校区
主分类号: G06F21/87 分类号: G06F21/87;G06F21/60;G06F21/88;H04L9/00;H04L9/32
代理公司: 南京纵横知识产权代理有限公司 32224 代理人: 董建林
地址: 213022 江苏*** 国省代码: 江苏;32
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摘要:
搜索关键词: 一种 钳位反相器 puf 电路 电子 装置 实现 方法
【权利要求书】:

1.一种钳位反相器PUF电路,其特征在于:包括顺次串联的线性反馈移位寄存器、PUF核及输出增强校验装置,所述PUF核包括顺次连接的第一级反相器组、第二级反相器组及第三级反相器组,所述第一级反相器组及第二级反相器组均包括M个并联的反相器块,所述反相器块均包括2个多路选择器和2N个反相器,所述第三级反相器组包括若干并联的反相器,所述输出增强校验装置包括并联设置的输出级及第四级,所述输出级包括两个并联的反相器,所述输出级的反相器连接异或门,所述第四级包括一个反相器,所述线性反馈移位寄存器是2*M*N位线性反馈移位寄存器;

所述第一级反相器组及第二级反相器组中的反相器是二极管钳位型反相器;每个反相器都有不同的电压跳变点Vtrip;输出级中的两个反相器,其中一个反相器包含依次连接的一个高阈值NMOS和一个低阈值PMOS,另外一个包含依次连接的一个低阈值NMOS和一个高阈值PMOS;所述输出级与异或门之间还并联设有两个缓冲器,所述第四级的反相器还串联缓冲器。

2.根据权利要求1所述的一种钳位反相器PUF电路,其特征在于:所述第一级反相器组及第二级反相器组中均包含16个反相器块,所述反相器块均包括16个反相器,所述反相器块设有4个激励输入端,所述线性反馈移位寄存器是128位线性反馈移位寄存器。

3.一种电子装置,其特征在于:采用权利要求1所述的一种钳位反相器PUF电路。

4.基于权利要求1-2任意一项所述的一种钳位反相器PUF电路的实现方法,其特征在于:按照以下步骤工作:

S1:线性反馈移位寄存器发出激励信号;

S2:第一级反相器组中的各个反相器根据各自的不同的Vtrip对激励信号的前2MN位进行选择,并输出信号;

S3:第一级反相器组输出的信号进入至第二级反相器组,第二级反相器组中的各个反相器根据各自的不同的Vtrip对激励信号的后2MN位进行选择,并输出信号至输出增强校验装置;

S4:信号进入至输出级,若输入信号低于Vtrip_L或高于Vtrip_H,则INVALID输出标志将为0,表示Vin强,若输入信号高于Vtrip_L且低于Vtrip_H,则INVALID输出标志将为1;Vtrip_L表示低位电压跳变点,Vtrip_H表示高位电压跳变点;

S5:当INVALID为0时,通过第四级的输出信号才有效。

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