[发明专利]一种螺旋状超长金属线/带的制备方法有效
申请号: | 201810415754.1 | 申请日: | 2018-05-03 |
公开(公告)号: | CN108565273B | 公开(公告)日: | 2020-10-27 |
发明(设计)人: | 杨为家;何鑫;刘俊杰;刘铭全;刘艳怡;王诺媛;蒋庭辉;江嘉怡;沈耿哲 | 申请(专利权)人: | 五邑大学 |
主分类号: | H01L27/146 | 分类号: | H01L27/146;H01L21/768 |
代理公司: | 广州嘉权专利商标事务所有限公司 44205 | 代理人: | 梁嘉琦 |
地址: | 529000 广*** | 国省代码: | 广东;44 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 一种 螺旋状 超长 金属线 制备 方法 | ||
本发明公开了一种螺旋状超长金属线/带的制备方法,包括以下步骤:1)在衬底上旋涂光刻胶;2)用掩膜板进行曝光显影,在衬底上获得螺旋状的线/带生长模板区域;3)在经过步骤2)处理后的衬底上蒸镀一层金属薄膜;4)在真空炉中退火,使金属薄膜结晶,并与衬底键合在一起;5)反向剥离,除去光刻胶和多余的金属薄膜,在衬底上获得螺旋状的超长线/带,6)除去衬底,得到螺旋状的超长线/带;其中,所述线/带的宽度为微米级或纳米级。本发明利用掩膜板制备超长的金属线/带,有序性好,其长度可达几米甚至数十米,可以像电缆一样盘卷起来;该制备方法简单,适用于多种金属,适合产业化生产。
技术领域
本发明处于传感器器件技术领域,具体涉及一种螺旋状超长金属线/带的制备方法。
背景技术
金属纳米线具有导电性能好、适用性广等优点,因而受到了人们的重视。例如,随着人们生活水平的提高,人们对医疗健康产品提出了更高的要求,穿戴式医疗器件受到了人们的青睐。可穿戴式压力医疗器件要求柔软、轻便、舒适,而满足这些要求通常是有机材料,例如PDMS、PET等。有机薄膜通常是不导电的,为了获得良好的电学性能,会在PDMS中掺入金属纳米线、碳纳米管和石墨烯等。
此外,随着科学迅速发展,纳米器件有望在未来发挥极其重要的作用。而金属纳米线可以作为纳米器件的电极材料。随着微纳加工技术的不断成熟,金属纳米线将会对纳米器件的发展产生积极的影响。
目前,一般是通过腐蚀剥离法、外延法和水热法等方法制备金属纳米线。但这些方法制备的金属纳米线有序性较差、长度较短,一般不超过1cm,而且,采用这些方法制备的纳米线无规则,也无法盘卷起来,占地面积大,因此不能满足一些特殊领域的需求。
发明内容
本发明提供了一种螺旋状超长金属线/带的制备方法,利用掩膜板制备超长的金属线/带,其长度可达几米甚至数十米,可以像电缆一样盘卷起来。
本发明采用的技术方案是:一种螺旋状超长金属线/带的制备方法,包括以下步骤:
1)在衬底上旋涂光刻胶;
2)用掩膜板进行曝光显影,在衬底上获得螺旋状的线/带生长模板区域;
3)在经过步骤2)处理后的衬底上蒸镀一层金属薄膜;
4)在真空炉中退火,使金属薄膜结晶,并与衬底键合在一起;
5)反向剥离,除去光刻胶和多余的金属薄膜,在衬底上获得螺旋状的超长线/带;
6)除去衬底,得到螺旋状的超长线/带;
其中,所述线/带的宽度为微米级或纳米级。
优选的,所述线/带的宽度为300-10000nm。
优选的,所述线/带的材质为Ag、Au、Pt、Cu、Fe、Al或Cr。更优选的,所述线/带的材质为Ag或Au。
优选的,所述衬底的直径为2英寸以上;所述衬底可以选用容易被弱酸腐蚀的材料,衬底的材质为LiGaO2、MgO、ZnO或FeO。
优选的,步骤1)中,旋涂的光刻胶的厚度为0.3-20μm。
优选的,步骤2)中,使用预先制备好的金属Cr掩膜板进行曝光显影,金属Cr掩膜板有激光刻蚀出的螺旋状图案。
步骤2)中,曝光显影的控制的条件为:采用370nm紫光照射10-60s。
优选的,步骤3)中,采用电子束蒸发在室温、真空大于10-3Pa的条件下蒸镀金属薄膜。
优选的,所述金属薄膜的厚度为300-20000nm,金属薄膜为选自Ag薄膜、Au薄膜、Pt薄膜、Cu薄膜、Fe薄膜、Al薄膜或Cr薄膜。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的