[发明专利]半导体集成装置及其栅极筛查试验方法

说明书

提供一种不需要设置附加电路、并且不另外设置栅极筛查端子就能够进行栅极筛查试验的半导体集成装置及其栅极筛查试验方法。具备：栅极驱动部(12)，其对电压控制型半导体元件(Q2)的栅极进行驱动；以及调节器(13)，其向该栅极驱动部提供栅极驱动电压，具备外部连接端子(tc)，在栅极筛查试验时，能够对该外部连接端子(tc)施加针对所述电压控制型半导体元件的栅极筛查用电压。

技术领域

本发明涉及一种绝缘栅极型器件的驱动电路等搭载有栅极筛查试验功能的半导体集成装置及其栅极筛查试验方法。

背景技术

作为这种半导体集成装置，例如已知专利文献1所记载的结构。

在该专利文献1所记载的先行技术中，在IC芯片内设置有4通道的作为MOS型半导体元件的MOSFET及其控制电路，在各功率MOSFET的栅极电极上连接有电平移位电路，在各电平移位电路上连接有控制电路。

各MOSFET的栅极电极经由反流防止电路来与一个栅极筛查试验端子连接。

专利文献1：日本特开2012-42281号公报

发明内容

发明要解决的问题

在上述专利文献1所记载的先行技术中，存在以下问题：在作为栅极筛查试验的对象的各功率MOSFET的栅极端子与栅极筛查端子之间需要反流防止电路，并且在控制电路与各功率MOSFET的栅极之间需要电压移位电路，当功率MOSFET的数量增加时，芯片面积增加。

因此，本发明是着眼于上述先行技术的问题而完成的，其目的在于提供一种不需要设置附加电路、并且不另外设置栅极筛查端子就能够进行栅极筛查试验的半导体集成装置及其栅极筛查试验方法。

用于解决问题的方案

为了达到上述目的，本发明所涉及的半导体集成装置的一个方式具备：栅极驱动部，其对电压控制型半导体元件的栅极进行驱动；以及调节器，其向该栅极驱动部提供栅极驱动电压。而且，调节器具备外部连接端子，在栅极筛查试验时，能够对该外部连接端子施加针对所述电压控制型半导体元件的栅极筛查用电压。

另外，关于本发明所涉及的半导体集成装置的栅极筛查试验方法，该半导体集成装置具备：栅极驱动部，其对电压控制型半导体元件的栅极进行驱动；以及调节器，其向该栅极驱动部提供栅极驱动电压，在所述半导体集成装置的栅极筛查试验方法中，

在栅极筛查试验时，在使调节器的动作停止的状态下，对调节器的外部连接端子施加针对电压控制型半导体元件的栅极筛查用电压。

发明的效果

根据本发明的一个方式，在栅极筛查试验时，能够通过对调节器的现有的端子施加栅极筛查试验用电压来进行栅极筛查试验，不需要增设栅极筛查试验用的电路，能够抑制芯片面积的增加。

附图说明

图1是表示本发明所涉及的半导体集成装置的第一实施方式的框图。

图2是表示图1的调节器的具体结构的电路图。

图3是表示对栅极筛查端子施加的栅极筛查试验用电压的波形图，(a)表示n沟道电压控制型半导体元件用的试验电压，(b)表示p沟道电压控制型半导体元件用的试验电压。

图4是表示本发明所涉及的半导体集成装置的第二实施方式的框图。

附图标记说明