[发明专利]人工晶体制备方法

权利要求书

1.一种人工晶体的制备方法，其特征在于，它包括以下步骤：

S1：提供人工晶体粗胚，所述人工晶体粗胚包括光学区和外围区，所述光学区具有上光学面和下光学面，所述外围区环绕所述光学区；

S2：在所述人工晶体粗胚表面覆盖保护膜，使其与所述人工晶体粗胚的形状相吻合；

S3：使用激光对所述覆盖有保护膜的人工晶体粗胚进行切割处理；

S4：移除所述保护膜后形成所述人工晶体，所述人工晶体包括光学区和和支撑件，所述光学区包含所述上光学面和所述下光学面，所述支撑件与所述光学区相连。

2.根据权利要求1所述的制备方法，其特征在于，所述保护膜为热变形温度大于200℃的高分子膜。

3.根据权利要求2所述的制备方法，其特征在于，所述保护膜的热变形温度在200～400℃之间。

4.根据权利要求3所述的制备方法，其特征在于，所述保护膜为聚酰亚胺(PI)、聚苯硫醚(PPS)、聚芳醚酮(PAEK)、液晶聚合物(LCP)、聚砜(PSF)、聚苯酯(POB)、聚四氟乙烯(PTFE)、环氧塑料(EF)、有机硅塑料(SI)、聚萘二甲酸乙二醇酯(PEN)、聚乙烯醇(PVA)、环烯烃共聚物(COC)、尼龙6(PA6)、尼龙66(PA66)及其改性材料的至少之一。

5.根据权利要求4所述的制备方法，其特征在于，所述聚酰亚胺(PI)是选自聚酰胺-酰亚胺(PAI)、聚醚酰亚胺(PEI)、均苯型聚酰亚胺、可溶性聚酰亚胺及其改性材料的至少之一。

6.根据权利要求4所述的制备方法，其特征在于，所述聚芳醚酮(PAEK)是选自聚醚酮(PEK)、聚醚醚酮(PEEK)、聚醚酮酮(PEKK)、聚醚醚醚酮(PEEEK)、聚醚酮醚酮酮(PEKEKK)、酚酞型聚醚酮及其改性材料的至少之一。

7.根据权利要求4所述的制备方法，其特征在于，所述液晶聚合物(LCP)是选自聚苯并咪唑(PBI)、聚苯并双咪唑(PBBI)、聚苯并噁唑(PBO)、聚苯并双噁唑(PBBO)、聚噻唑(PT)、聚苯并噻唑(PBT)、聚苯并双噻唑(PBBT)及其改性材料的至少之一。

8.根据权利要求4所述的制备方法，其特征在于，所述聚砜(PSF)是选自聚芳砜(PASF)、聚醚砜(PES)及其改性材料的至少之一。

9.根据权利要求1所述的制备方法，其特征在于，所述保护膜的厚度为10～100μm。

10.根据权利要求9所述的制备方法，其特征在于，所述保护膜的厚度为25～75μm。

11.根据权利要求1所述的制备方法，其特征在于，移除所述保护膜是在醇类溶剂中超声和/或使用镊子进行移除。

12.根据权利要求1所述的制备方法，其特征在于，所述激光包括纳秒激光、皮秒激光以及飞秒激光的至少之一。

13.根据权利要求1所述的制备方法，其特征在于，所述激光波长为248～1560nm。

14.根据权利要求1所述的制备方法，其特征在于，所述激光切割的扫描速度为100～1000mm/s。

15.根据权利要求1所述的制备方法，其特征在于，所述激光的功率为3-100w。