[发明专利]一种柔性显示器件及其制作方法有效
申请号: | 201810409491.3 | 申请日: | 2018-05-02 |
公开(公告)号: | CN108400261B | 公开(公告)日: | 2020-11-24 |
发明(设计)人: | 张帅;左岳平;刘利宾 | 申请(专利权)人: | 京东方科技集团股份有限公司 |
主分类号: | H01L51/56 | 分类号: | H01L51/56;H01L51/00 |
代理公司: | 北京银龙知识产权代理有限公司 11243 | 代理人: | 许静 |
地址: | 100015 *** | 国省代码: | 北京;11 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 一种 柔性 显示 器件 及其 制作方法 | ||
1.一种柔性显示器件的制作方法,其特征在于,包括:
在玻璃载板上制作多个柔性显示器件,并采用刻蚀工艺去除位于相邻所述柔性显示器件之间的切割区域的膜层,暴露出位于所述切割区域的玻璃载板;
采用激光剥离技术将所述多个柔性显示器件从所述玻璃载板上剥离,形成多个相互独立的柔性显示器件;
所述柔性显示器件包括弯折区域;所述在玻璃载板上制作多个柔性显示器件,并采用刻蚀工艺去除位于相邻所述柔性显示器件之间的切割区域的膜层,暴露出位于所述切割区域的玻璃载板的步骤具体包括:
在所述玻璃载板上依次形成柔性衬底和多个膜层,所述多个膜层中的至少一个膜层和所述柔性衬底覆盖所述切割区域和所述弯折区域,在形成覆盖所述切割区域和所述弯折区域的膜层后,采用刻蚀工艺同时将位于所述切割区域的膜层和位于所述弯折区域的膜层去除,并最终采用刻蚀工艺将位于所述切割区域的柔性衬底去除,暴露出位于所述切割区域的玻璃载板;
所述制作方法还包括:
在形成所述多个膜层的同时,形成刻蚀阻挡层,所述刻蚀阻挡层包括第一阻挡图形和第二阻挡图形,所述第一阻挡图形和所述第二阻挡图形分别对应位于所述切割区域的两侧,用于限定采用刻蚀工艺在所述切割区域进行刻蚀时的刻蚀宽度。
2.根据权利要求1所述的柔性显示器件的制作方法,其特征在于,所述在所述玻璃载板上依次形成柔性衬底和多个膜层,所述多个膜层中的至少一个膜层和所述柔性衬底覆盖所述切割区域和所述弯折区域,在形成覆盖所述切割区域和所述弯折区域的膜层后,采用刻蚀工艺同时将位于所述切割区域的膜层和位于所述弯折区域的膜层去除,并最终将位于所述切割区域的柔性衬底去除,暴露出位于所述切割区域的玻璃载板的步骤具体包括:
在所述玻璃载板上依次形成柔性衬底和薄膜晶体管阵列层,所述柔性衬底和所述薄膜晶体管阵列层中包括的无机层覆盖所述切割区域和所述弯折区域,采用刻蚀工艺同时去除位于所述切割区域的无机层和位于所述弯折区域的无机层,暴露出位于所述切割区域和位于所述弯折区域的柔性衬底;
在形成有所述薄膜晶体管阵列层的玻璃载板上形成有机材料层,所述有机材料层中包括的公共层覆盖所述切割区域和所述弯折区域,采用刻蚀工艺同时去除位于所述切割区域的公共层和位于所述弯折区域的公共层,暴露出位于所述切割区域和位于所述弯折区域的柔性衬底;
在形成有所述有机材料层的玻璃载板上形成封装层,采用刻蚀工艺同时去除位于所述切割区域的封装层和位于所述弯折区域的封装层,并最终将位于所述切割区域的柔性衬底去除,暴露出位于所述切割区域的玻璃载板。
3.根据权利要求1所述的柔性显示器件的制作方法,其特征在于,所述在形成所述多个膜层的同时,形成刻蚀阻挡层的步骤具体包括:
通过一次构图工艺形成所述刻蚀阻挡层和所述柔性显示器件中薄膜晶体管阵列层包括的栅极层;或,
通过一次构图工艺形成所述刻蚀阻挡层和所述柔性显示器件中薄膜晶体管阵列层包括的源极层和漏极层。
4.根据权利要求1所述的柔性显示器件的制作方法,其特征在于,所述第一阻挡图形和所述第二阻挡图形均包括层叠设置的至少两层金属层,所述在形成所述多个膜层的同时,形成刻蚀阻挡层的步骤具体包括:
通过一次构图工艺形成所述至少两层金属层中的一层金属层和所述柔性显示器件中薄膜晶体管阵列层包括的栅极层;
通过一次构图工艺形成所述至少两层金属层中的另一层金属层和所述柔性显示器件中薄膜晶体管阵列层包括的源极层和漏极层。
5.根据权利要求4所述的柔性显示器件的制作方法,其特征在于,在形成所述刻蚀阻挡层之后,所述制作方法还包括:
在所述刻蚀阻挡层上形成保护层。
6.根据权利要求2所述的柔性显示器件的制作方法,其特征在于,在形成所述薄膜晶体管阵列层之前,所述制作方法还包括:
在所述柔性衬底上形成缓冲层;
所述采用刻蚀工艺同时去除位于所述切割区域的无机层和位于所述弯折区域的无机层的步骤具体包括:
通过一次刻蚀工艺,同时去除位于所述切割区域的无机层和缓冲层,以及位于所述弯折区域的无机层和缓冲层。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L51-00 使用有机材料作有源部分或使用有机材料与其他材料的组合作有源部分的固态器件;专门适用于制造或处理这些器件或其部件的工艺方法或设备
H01L51-05 .专门适用于整流、放大、振荡或切换且并具有至少一个电位跃变势垒或表面势垒的;具有至少一个电位跃变势垒或表面势垒的电容器或电阻器
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H01L51-50 .专门适用于光发射的,如有机发光二极管
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