[发明专利]具有相变材料的熔断装置在审

专利信息
申请号: 201810408183.9 申请日: 2018-04-28
公开(公告)号: CN108807105A 公开(公告)日: 2018-11-13
发明(设计)人: 曾俊昆;陈建华 申请(专利权)人: 力特有限公司
主分类号: H01H85/06 分类号: H01H85/06;H01H85/08;H01H85/143
代理公司: 中科专利商标代理有限责任公司 11021 代理人: 李江晖
地址: 美国伊利诺伊州芝加哥希*** 国省代码: 美国;US
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摘要:
搜索关键词: 熔断 熔断装置 第二电极 第一电极 部件呈现 温度标记 相变材料 热接触
【权利要求书】:

1.一种熔断装置,所述熔断装置包括:

熔断部件;

第一电极,所述第一电极设置在所述熔断部件的第一侧上;

第二电极,所述第二电极设置在所述熔断部件的第二侧上;和

相变部件,所述相变部件被设置成与所述熔断部件热接触,

其中所述熔断部件包括熔断温度;

其中所述相变部件呈现相变温度,所述相变温度标记相变部件的相转变,和

其中所述相变温度小于所述熔断温度。

2.根据权利要求1所述的熔断装置,其中所述相变部件包括聚合物、石蜡、金属、金属合金、盐合水或易熔材料。

3.根据权利要求1所述的熔断装置,其中所述熔断部件包括正温度系数(PTC)材料,其中所述正温度系数材料包括断开温度,所述断开温度分开正温度系数材料的高电阻状态与正温度系数材料的低电阻状态。

4.根据权利要求1所述的熔断装置,其中第一电极包括:

内侧,所述内侧被设置成与所述熔断部件直接接触;和

外侧,

其中所述相变部件设置在第一电极的所述外侧上。

5.根据权利要求4所述的熔断装置,其中所述第二电极包括:

第二内侧,所述第二内侧被设置成与所述熔断部件直接接触;和

第二外侧,

其中所述相变部件设置在第二电极的所述第二外侧上。

6.根据权利要求1所述的熔断装置,其中所述相变部件设置在第一电极和第二电极之间,并且被设置成与所述熔断部件直接接触。

7.根据权利要求1所述的熔断装置,其中所述相变部件包括:

封装层;和

相变材料,其中所述相变材料的特征在于相转变温度,且其中所述相变材料通过封装层封装。

8.根据权利要求1所述的熔断装置,其中所述相变部件包括相变材料,且其中所述相转变包括相变材料的熔化。

9.根据权利要求1所述的熔断装置,其中所述相变部件包括:

基体材料;和

多个微封装颗粒,其中所述多个微封装颗粒分散在所述基体材料中,和其中所述多个微封装颗粒包括相变材料,所述相变材料的特征在于相转变。

10.根据权利要求3所述的熔断装置,其中所述相变部件包括多个微封装颗粒,其中所述多个微封装颗粒分散在所述正温度系数材料内。

11.根据权利要求1所述的熔断装置,其中所述相变温度小于150℃。

12.根据权利要求1所述的熔断装置,其中所述相变部件包括带,其中所述带设置在第一电极上,并包括其特征在于相变温度的相变材料。

13.根据权利要求1所述的熔断装置,其中所述相变部件包括涂层,所述涂层被设置在第一电极上,并包括其特征在于相变温度的相变材料。

14.根据权利要求1所述的熔断装置,其中所述相变部件包括:形状稳定相变材料,所述形状稳定相变材料包括:

交联聚合物基体;和

多个微封装颗粒,所述多个微封装颗粒分散在所述交联聚合物基体中,并且其特征在于所述相变温度。

15.根据权利要求1所述的熔断装置,其中所述熔断部件包括金属氧化物可变电阻。

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