[发明专利]一种气压驱动的太赫兹超材料调制器在审
| 申请号： | 201810407542.9 | 申请日： | 2018-05-02 |
| 公开（公告）号： | CN108363198A | 公开（公告）日： | 2018-08-03 |
| 发明（设计）人： | 刘建军;洪治 | 申请（专利权）人： | 中国计量大学 |
| 主分类号： | G02B26/00 | 分类号： | G02B26/00 |
| 代理公司： | 暂无信息 | 代理人： | 暂无信息 |
| 地址： | 310018 浙江省杭州市*** | 国省代码： | 浙江;33 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 超材料 调制器 气压驱动 太赫兹波段 调制幅度 分布周期 金属谐振 目标频率 太赫兹波 谐振结构 有效频段 耦合状态 气压 调制 密封 平行 微波 应用 | ||
1.一种气压驱动的太赫兹超材料调制器，其特征在于：包括第一超材料、第二超材料、密封圈和导管；所述密封圈位于所述第一超材料和所述第二超材料中间，所述导管穿过所述密封圈，所述第一超材料、所述第二超材料、所述密封圈和所述导管组成一个仅通过所述导管与外界连通的气室；所述第一超材料由片状基底和在基底的一个表面上呈二维周期性分布的第一金属谐振单元构成，所述第二超材料由片状基底和在基底的一个表面上呈二维周期性分布的第二金属谐振单元构成；所述第一超材料和所述第二超材料中至少有一个采用柔性材料作为基底；所述第一金属谐振单元和所述第二金属谐振单元具有相同的分布周期和排布方向。
2.根据权利要求1所述的气压驱动的太赫兹超材料调制器，其特征在于，所述密封圈的厚度均匀且必须小于在所述导管吸气造成所述气室处于负压状态时，所述第一超材料和所述第二超材料内凹高度之和，以保证所述第一超材料的中心区域和所述第二超材料的中心区域紧贴在一起。
3.根据权利要求1所述的气压驱动的太赫兹超材料调制器，其特征在于所述第一金属谐振单元和所述第二金属谐振单元能够相互耦合，且所述耦合对所述第一超材料和所述第二超材料的间距敏感。
4.根据权利要求1-3所述的气压驱动的太赫兹超材料调制器，其特征在于，所述第一金属谐振单元分布在所述第一超材料朝向所述第二超材料的表面上；所述第二金属谐振单元分布在所述第二超材料朝向所述第一超材料的表面上。
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