[发明专利]一种高功率光纤布拉格光栅刻写用位相掩模片在审
| 申请号： | 201810404554.6 | 申请日： | 2018-04-28 |
| 公开（公告）号： | CN110412670A | 公开（公告）日： | 2019-11-05 |
| 发明（设计）人： | 林磊;蔡光明 | 申请（专利权）人： | 福州高意光学有限公司 |
| 主分类号： | G02B5/18 | 分类号： | G02B5/18;G03F7/20 |
| 代理公司： | 福州君诚知识产权代理有限公司 35211 | 代理人： | 戴雨君 |
| 地址： | 350000 福建省福州*** | 国省代码： | 福建;35 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 布拉格光栅 高功率光纤 掩模片 刻写 熔融石英基片 光刻 分光结构 激光损伤 位置相对 衍射效率 应用提供 增透结构 光学面 高抗 鬼像 衍射 干涉 制作 | ||
1.一种高功率光纤布拉格光栅刻写用位相掩模片，其特征在于：其包括紫外级熔融石英基片，所述的熔融石英基片上具有一对位置相对的光学面，其中一光学面上具有用光刻法制成的微纳增透结构，另一光学面上具有用光刻法制成的微纳衍射分光结构。
2.根据权利要求1所述的一种高功率光纤布拉格光栅刻写用位相掩模片，其特征在于：所述的微纳增透结构由若干个微纳结构柱呈柱形阵列分布构成。
3.根据权利要求2所述的一种高功率光纤布拉格光栅刻写用位相掩模片，其特征在于：所述柱形阵列的阵列排布为三角形或六边形。
4.根据权利要求2所述的一种高功率光纤布拉格光栅刻写用位相掩模片，其特征在于：所述微纳增透结构的微纳结构柱为圆柱形、圆台形、长方体或圆锥体。
5.根据权利要求2所述的一种高功率光纤布拉格光栅刻写用位相掩模片，其特征在于：所述微纳结构柱的尺寸为纳米量级。
6.根据权利要求1所述的一种高功率光纤布拉格光栅刻写用位相掩模片，其特征在于：所述熔融石英基片另一光学面上的微纳衍射分光结构的周期为等周期或变周期。
7.根据权利要求1所述的一种高功率光纤布拉格光栅刻写用位相掩模片，其特征在于：所述的微纳衍射分光结构由若干个单条微纳结构构成。
8.根据权利要求7所述的一种高功率光纤布拉格光栅刻写用位相掩模片，其特征在于：所述的单条微纳结构为楔形、柱形、正弦形或三角形结构。
9.根据权利要求7所述的一种高功率光纤布拉格光栅刻写用位相掩模片，其特征在于：所述单条微纳结构的尺寸为亚微米级。
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