[发明专利]极紫外光源产生方法

说明书

一种极紫外光源产生方法。一种极紫外光源，其包括配置为用以产生第一预脉冲激光光束、第二预脉冲激光光束、及主脉冲激光光束的激光光源。在一些实施例中，在极紫外光容器内使用第一预脉冲激光光束照射液滴以形成重成形液滴。在一些例子中，液滴包括锡液滴。在多种实施例中，随后通过使用第二预脉冲激光光束照射重成形液滴以形成种子等离子体。随后，且在一些例子中，使用主脉冲激光光束照射种子等离子体以加热种子等离子体，进而产生极紫外光。

技术领域

本发明实施例涉及一种极紫外光源产生方法，且特别涉及一种有三重脉冲的极紫外光源产生方法。

背景技术

电子工业已经历了对更小、更快、并同时能够支持更多的日益复杂和精巧的功能的电子设备日益增长需求。因此，半导体行业中存在着低制造成本、高性能和低功率集成电路(integrated circuits，ICs)的持续趋势。至今为止，这些目标在很大程度上是通过缩小半导体集成电路尺寸(例如最小特征尺寸)，并从而提高生产效率和降低相关成本以实现。然而，这种尺寸缩放也造成半导体制造工艺的复杂性增加。因此，需要半导体制造工艺和技术的类似进步以实现半导体集成电路和装置的持续发展。

仅作为一个范例，在半导体光刻工艺中，可使用光刻模板(如光罩(photomasks，光掩膜)或倍缩光罩(reticles，掩膜))以将图案光学地转移到基板上。举例来说，可以通过将辐射源通过介于中间的光罩或倍缩光罩投影到具有感光材料(例如光刻胶)涂层的基板上来实现这种工艺。通过这种光刻工艺而图案化的最小特征尺寸受到了投影辐射源的波长限制。有鉴于此，已引入了极紫外光(extreme ultraviolet，EUV)辐射源和光刻工艺。在今日，极紫外光系统可以使用激光等离子体(laser produced plasma，LPP，激光生成等离子体)的极紫外光源来产生极紫外光。然而，这种系统的低转换效率和极紫外光源功率性能仍然是关键挑战，并且其分别对每次曝光和输出量的成本有直接影响。因此，现有的激光等离子体的极紫外光源在各方面都未被证明完全令人满意。

发明内容

本发明的实施例之一描述了一种方法，包括使用第一预脉冲激光光束在极紫外光容器中照射液滴以形成重成形液滴。在多种实施例中，通过使用第二预脉冲激光光束照射重成形液滴以形成种子等离子体。随后，及在一些例子中，通过使用主脉冲激光光束照射种子等离子体以加热种子等离子体，进而产生极紫外光。

在另一个实施例中，讨论了一种方法，包括通过使用具有第一波长的第一激光脉冲在极紫外光容器中照射目标，以在极紫外光容器中照射等离子体。在多种例子中，在使用第一激光脉冲照射目标后且在第一延迟时间后，通过使用具有第二波长的第二激光脉冲照射等离子体以加热等离子体，其中第二波长比第一波长来得长。在一些实施例中，通过加热的等离子体产生极紫外光。

在又一实施例中，讨论了极紫外光源，包括配置为用以产生第一预脉冲激光光束、第二预脉冲激光光束、及主脉冲激光光束的激光光源。在多种实施例中，极紫外光源还包括极紫外光容器，极紫外光容器包括液滴产生器，液滴产生器在极紫外光容器中提供锡液滴。此外，在一些实施例中，极紫外光源包括收集器，在极紫外光容器中的照射区具有第一焦点，且在中间聚焦区有第二焦点。举例来说极紫外光源配置为用以在极紫外光容器中的照射区使用第一预脉冲激光光束照射锡液滴以形成重成形液滴。在一些范例中，极紫外光源配置为用以使用第二预脉冲激光光束照射重成形液滴以形成种子等离子体。随后，在一些实施例中，极紫外光源配置为用以使用主脉冲激光光束加热种子等离子体，以产生从极紫外光容器通过中间聚焦区输出的极紫外光。

附图说明

以下将配合说明书附图详述本发明的实施例。应注意的是，依据在业界的标准做法，多种特征并未按照比例示出且仅用以说明例示。事实上，可能任意地放大或缩小元件的尺寸，以清楚地表现出本发明的特征。

图1是根据一些实施例的包括示例性极紫外光容器的极紫外光源的示意图。

图2是时域和空域中的示例性双重脉冲方案的示意图。