[发明专利]有机电致发光器件及包括其的显示器在审
| 申请号: | 201810401844.5 | 申请日: | 2018-04-28 |
| 公开(公告)号: | CN110416255A | 公开(公告)日: | 2019-11-05 |
| 发明(设计)人: | 李崇;张兆超;唐丹丹;蔡啸 | 申请(专利权)人: | 江苏三月光电科技有限公司 |
| 主分类号: | H01L27/32 | 分类号: | H01L27/32;H01L51/50;H01L51/54 |
| 代理公司: | 北京北翔知识产权代理有限公司 11285 | 代理人: | 苏萌;杨月 |
| 地址: | 214112 江*** | 国省代码: | 江苏;32 |
| 权利要求书: | 查看更多 | 说明书: | 查看更多 |
| 摘要: | |||
| 搜索关键词: | 有机材料 空穴传输区域 有机电致发光器件 有机功能材料层 电子阻挡层 第一电极 发光层 电子传输区域 空穴传输层 空穴注入层 主体和客体 第二电极 基板 显示器 | ||
1.一种有机电致发光器件,其由下至上依次设置有基板、第一电极、有机功能材料层和第二电极,所述有机功能材料层包括:
空穴传输区域,位于所述第一电极之上;
发光层,位于所述空穴传输区域之上,其包括主体材料和客体材料;
电子传输区域,位于所述发光层之上,
其中,所述空穴传输区域由下至上依次包括空穴注入层、空穴传输层和电子阻挡层,
所述电子阻挡层包括第一和第二有机材料,其中第一有机材料的HOMO能级为-5.4eV至-5.8eV,优选为-5.45eV至-5.75eV,更优选为-5.48eV至-5.7eV,且第二有机材料的HOMO能级为-5.5eV至-6.0eV,优选为-5.6eV至-5.9eV,更优选为-5.65eV至-5.88eV,并且︱HOMO第一有机材料︱<︱HOMO第二有机材料︱;并且第一有机材料和第二有机材料的LUMO能级≥-2.6eV。
2.根据权利要求1所述的有机电致发光器件,其中所述第一有机材料和空穴传输层材料的HOMO能级之间差值的绝对值≤0.4ev,且所述第二有机材料和发光层主体材料的HOMO能级之间差值的绝对值≤0.4ev。
3.根据权利要求1或2所述的有机电致发光器件,其中所述第一和第二有机材料的比例为1:99至99:1,优选为10:90至90:10,更优选为30:70至70:30,基于质量计。
4.根据权利要求1至3中任一项所述的有机电致发光器件,其中第一和第二有机材料各自独立地选自通式(1)、通式(2)或通式(3)中任一者:
其中,在通式(1)中
X、X1各自独立地选自单键、碳原子、N-(R5)、硫原子、氧原子、亚乙烯基、直链或支链的C1-20烷基取代的亚烷基、直链或支链的C1-20烷基取代的亚硅烷基、C6-20芳基取代的亚烷基中的一种;
如果存在R5,则其可相同或不同地选自氢原子、氕原子、氘原子、氚原子、氟原子、磷酸或其盐、直链或支链的C1-20烷基取代的烷基、直链或支链的C1-20烷基取代的硅烷基、具有5至30个碳原子的芳基、具有5至30个碳原子和至少一个选自N、O和S的杂原子的杂芳基,其中在后两者的情况下,所述基团可任选被直链或支链的C1-20烷基、C6-20芳基、C5-20杂芳基取代;
Z代表氮原子或C-R6,其中R6可相同或不同地选自氢原子、氕原子、氘原子、氚原子、氟原子、氰基、磷酸或其盐、直链或支链的C1-20烷基取代的烷基、直链或支链的C1-20烷基取代的硅烷基、具有5至30个碳原子的芳基、具有5至30个碳原子和至少一个选自N、O和S的杂原子的杂芳基,其中在后两者的情况下,所述基团可任选被直链或支链的C1-20烷基、C6-20芳基、C5-20杂芳基取代,其中两个或更多个R6基团可彼此连接并且可形成环结构;
Ar1、Ar2、Ar3、Ar4各自独立地代表单键、直链或支链的C1-20亚烷基、直链或支链的C1-20烷基取代的亚硅烷基、具有5至30个碳原子的亚芳基、具有5至30个碳原子和至少一个选自N、O和S的杂原子的亚杂芳基,其中在后两者的情况下,所述基团可任选被直链或支链的C1-20烷基、C6-20芳基、C5-20杂芳基取代,其中Ar1、Ar2基团还可直接连接成环或通过C、O、S、N连接成环;
m、n、p、q、s和t等于0或1;且m+n+p+q≥1且m+n+s+t≥1;
R1、R2、R3和R4各自独立地代表氢原子、通式(4)、通式(5)或通式(6)所示的结构,条件是R1、R2、R3和R4不同时为氢原子;
其中,在通式(4)和通式(5)中:
X2、X3各自独立地代表单键、氧原子、硫原子、亚乙烯基、直链或支链的C1-20烷基取代的亚烷基、直链或支链的C1-20烷基取代的硅烷基、C6-20芳基取代的亚烷基、C1-20烷基取代的亚胺基、C6-20芳基取代的亚胺基、C5-20杂芳基取代的亚胺基中的一种;
Y1可相同或不同地代表N原子或C-R7,其中R7可相同或不同地代表氢原子、氕原子、氘原子、氚原子、氟原子、氰基、磷酸或其盐、直链或支链C1-20烷基取代的烷基、直链或支链C1-20烷基取代的硅烷基、具有5至30个碳原子的芳基、具有5至30个碳原子和至少一个选自N、O和S的杂原子的杂芳基,其中在后两者的情况下,所述基团可任选被直链或支链的C1-20烷基、C6-20芳基、C5-20杂芳基取代;其中两个或更多个R7基团可彼此连接并且可形成环结构;
R8、R9各自独立地代表氢原子、氕原子、氘原子、氚原子、氟原子、磷酸或其盐、直链或支链的C1-20烷基取代的烷基、直链或支链的C1-20烷基取代的硅烷基、具有5至30个碳原子的芳基、具有5至30个碳原子和至少一个选自N、O和S的杂原子的杂芳基、通式(7)或通式(6)所示结构;其中在芳基和杂芳基的情况下,所述基团可任选被直链或支链的C1-20烷基、C6-20芳基、C5-20杂芳基取代;
其中,在通式(7)中:
Y2可相同或不同地代表N原子或C-R14,其中,R14可相同或不同地代表氢原子、氕原子、氘原子、氚原子、氟原子、氰基、磷酸或其盐、直链或支链C1-20烷基取代的烷基、直链或支链的C1-20烷基取代的硅烷基、具有5至30个碳原子的芳基、具有5至30个碳原子和至少一个选自N、O和S的杂原子的杂芳基,其中在后两者的情况下,所述基团可任选被直链或支链的C1-20烷基、C6-20芳基、C5-20杂芳基取代;其中两个或更多个R12基团可彼此连接并且可形成环结构;
X4、X5各自独立地代表单键、氧原子、硫原子、亚乙烯基、直链或支链的C1-20烷基取代的亚烷基、直链或支链的C1-20烷基取代的亚硅烷基、C6-20芳基取代的亚烷基、C1-20烷基取代的亚胺基、C6-20芳基取代的亚胺基、C5-20杂芳基取代的亚胺基中的一种;
通式(7)通过并环方式和通式(4)或通式(5)相连,*表示为连接位点,相连时,只能取相邻的两个位点,通式(7)和通式(4)或通式(5)并环连接时,连接位点Y1表示为碳原子;
在通式(8)中:
R12、R13各自独立地代表具有5至30个碳原子的芳基、具有5至30个碳原子和至少一个选自N、O和S的杂原子的杂芳基,所述基团可任选被直链或支链的C1-20烷基、C6-20芳基、C5-20杂芳基取代;R12、R13还可连接成环;
在通式(2)中:
L1、L2、L3各自独立地代表单键、具有5至30个碳原子的亚芳基、具有5至30个碳原子和至少一个选自N、O和S的杂原子的亚杂芳基,其中在后两者的情况下,所述基团可任选被直链或支链的C1-20烷基、C6-20芳基、C5-20杂芳基取代;L1、L2、L3可两两彼此连接并且可形成环结构;
Ar5、Ar6、Ar7各自独立地代表具有5至30个碳原子的亚芳基、具有5至30个碳原子和至少一个选自N、O和S的杂原子的亚杂芳基、5至30个碳原子的亚胺基,所述基团可任选被直链或支链的C1-20烷基、C6-20芳基、C5-20杂芳基取代;Ar5、Ar6、Ar7可两两彼此连接并且可形成环结构;
Ar5、Ar6、Ar7各自还可以独立地表示为通式(4)、通式(5)、通式(6)之一,其中所述通式上的基团X2、X3、Y1、R8、R9、R10、R11和*具有如上所述的含义;
在通式(3)中:
D1、D2、D3各自独立地代表单键、具有5至30个碳原子的亚芳基、具有5至30个碳原子和至少一个选自N、O和S的杂原子的亚杂芳基,其中在后两者的情况下,所述基团可任选被直链或支链的C1-20烷基、C6-20芳基、C5-20杂芳基取代;D1、D2、D3可两两彼此连接并且可形成环结构;
Ar8、Ar9、Ar10各自独立地代表氢原子、具有5至30个碳原子的亚芳基、具有5至30个碳原子和至少一个选自N、O和S的杂原子的亚杂芳基、5至30个碳原子的亚胺基,所述基团可任选被直链或支链的C1-20烷基、C6-20芳基、C5-20杂芳基取代;Ar8、Ar9、Ar10可两两彼此连接并且可形成环结构;
Ar8、Ar9、Ar10中至少一个为通式(4)、通式(5)、通式(6)中的一个;其中所述通式上的基团X2、X3、Y1、R8、R9、R10、R11和*各自具有如上所述的含义。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于江苏三月光电科技有限公司,未经江苏三月光电科技有限公司许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服】
本文链接:http://www.vipzhuanli.com/pat/books/201810401844.5/1.html,转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇:阵列基板及显示面板
- 下一篇:显示面板背板结构、其制备方法及顶发射型显示面板
- 同类专利
- 专利分类
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的





