[发明专利]显示基板及其制造方法、显示装置

权利要求书

1.一种显示基板的制造方法，其特征在于，所述显示基板具有显示区域和非显示区域，所述非显示区域包括第一区域和环绕所述第一区域且呈闭合环状的第二区域，所述方法包括：

提供一衬底基板；

在所述衬底基板上形成有机材料层；

在所述有机材料层远离所述衬底基板的一侧设置水氧吸收膜层，所述水氧吸收膜层至少覆盖所述第二区域；

从所述有机材料层远离所述衬底基板的一侧，采用激光照射的方式对所述第二区域内的有机材料层进行烧结，以去除所述第二区域内的有机材料层；

去除所述水氧吸收膜层；

在位于所述显示区域内的有机材料层远离所述衬底基板的一侧形成多个支撑结构，所述支撑结构设置在所述显示区域内的各个像素之间，所述支撑结构的材质为黑矩阵材质；

在所述第二区域内设置封装材料，所述封装材料的厚度大于所述有机材料层的厚度；

从所述封装材料远离所述衬底基板的一侧，采用激光照射的方式固化所述封装材料，所述封装材料用于封装所述显示区域。

2.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述在所述有机材料层远离所述衬底基板的一侧设置水氧吸收膜层，包括：

在氮气环境中，采用机械粘贴的方式，在所述有机材料层远离所述衬底基板的一侧贴附所述水氧吸收膜层。

3.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述去除所述水氧吸收膜层，包括：

在氮气环境中，从所述水氧吸收膜层的侧面采用吹气设备向所述水氧吸收膜层吹气，以破坏所述水氧吸收膜层，并在所述水氧吸收膜层的正上方采用吸真空设备吸附被破坏后的水氧吸收膜层。

4.根据权利要求1至3任一所述的方法，其特征在于，

所述水氧吸收膜层由氧化钙、二氧化硅和氮化硅制备得到。

5.根据权利要求1至3任一所述的方法，其特征在于，

所述水氧吸收膜层的边缘与所述第二区域的外边缘的间距大于500微米。

6.根据权利要求1至3任一所述的方法，其特征在于，

所述水氧吸收膜层的厚度范围为300～500微米。

7.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述封装材料设置在透明盖板上，所述在所述第二区域内设置封装材料，包括：

将设置有所述封装材料的透明盖板设置在所述有机材料层远离所述衬底基板的一侧，以实现对所述显示区域的封装。

8.根据权利要求7所述的方法，其特征在于，当所述封装材料的厚度大于所述有机材料层的厚度时，所述支撑结构的厚度与所述有机材料层的厚度之和等于所述封装材料的厚度。

9.一种显示基板，其特征在于，所述显示基板采用权利要求1至8任一所述的方法制备得到；所述显示基板具有显示区域和非显示区域，所述非显示区域包括第一区域和环绕所述第一区域且呈闭合环状的第二区域，所述显示基板包括：

衬底基板，设置在所述衬底基板上的有机材料层和封装材料，以及设置在所述有机材料层远离所述衬底基板一侧的多个支撑结构；

其中，所述封装材料设置在所述第二区域内，所述有机材料层至少位于所述显示区域内，且所述有机材料层在所述衬底基板上的正投影与所述封装材料在所述衬底基板上的正投影不存在重叠区域，所述封装材料的厚度大于所述有机材料层的厚度，所述支撑结构位于所述显示区域内的各个像素之间，所述支撑结构的材质为黑矩阵材质。

10.根据权利要求9所述的显示基板，其特征在于，所述显示基板还包括透明盖板，所述透明盖板设置在所述封装材料远离所述衬底基板的一侧。

11.根据权利要求10所述的显示基板，其特征在于，当所述封装材料的厚度大于所述有机材料层的厚度时，所述支撑结构的厚度与所述有机材料层的厚度之和等于所述封装材料的厚度。