[发明专利]一种提高N型Bi2Te2.4Se0.6半导体的热电性能和力学性能的制备方法在审

专利信息
申请号: 201810400422.6 申请日: 2018-04-28
公开(公告)号: CN108584886A 公开(公告)日: 2018-09-28
发明(设计)人: 黄中月;张贺;王小宇;朱彬;祖方遒 申请(专利权)人: 合肥工业大学
主分类号: C01B19/00 分类号: C01B19/00;C23C18/40;H01L35/16
代理公司: 安徽省合肥新安专利代理有限责任公司 34101 代理人: 乔恒婷
地址: 230009 安*** 国省代码: 安徽;34
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摘要:
搜索关键词: 制备 力学性能 热电性能 母合金 热电 半导体 球磨机 半导体材料 化学镀铜溶液 大规模应用 电转换效率 化学计量比 粉体表面 化学镀铜 热电材料 烧结 热导率 熔炼 硝酸 碾碎 高热 称量 放入 粉体 活化 空冷 球磨 压制 腐蚀
【权利要求书】:

1.一种提高N型Bi2Te2.4Se0.6半导体的热电性能和力学性能的制备方法,其特征在于包括如下步骤:

步骤1:Bi2Te2.4Se0.6母合金的制备

以Bi、Te、Se颗粒为原料,按照Bi2Te2.4Se0.6的化学计量比称取各原料以及覆盖剂硼酐,混合均匀后进行熔炼,空冷至室温得到母合金;

步骤2:Bi2Te2.4Se0.6原始热电粉体的制备

将步骤1得到的母合金碾碎放入球磨机中球磨,得到Bi2Te2.4Se0.6原始热电粉体;

步骤3:Cu/Bi2Te2.4Se0.6热电粉体的制备

取Bi2Te2.4Se0.6原始热电粉体5g放入500ml烧杯中,加入200ml去离子水,再加入质量浓度65-68%的硝酸25ml并搅拌均匀,随后加入去离子水补充至500ml,过滤收集沉淀物并洗涤至pH值为7,干燥,得到活化的Bi2Te2.4Se0.6热电粉体;将活化的Bi2Te2.4Se0.6热电粉体置于化学镀铜溶液中,60℃下进行超声波水浴30min,过滤收集沉淀物并干燥,所得粉体进行氢气还原,获得含有Cu镀层的Bi2Te2.4Se0.6热电粉体;

步骤4:Cu/Bi2Te2.4Se0.6热电块体的制备

将步骤3获得的含有Cu镀层的Bi2Te2.4Se0.6热电粉体置于放电等离子烧结模具中,再将模具置于放电等离子烧结炉中,在真空环境、40MPa的压力下升温至400℃并保温10分钟,获得Cu/Bi2Te2.4Se0.6热电块体。

2.根据权利要求1所述的制备方法,其特征在于:

步骤1中,Bi、Te、Se颗粒的纯度为99.99%。

3.根据权利要求1所述的制备方法,其特征在于:

步骤1中,所述熔炼是首先升温至650℃保温0.5h,实现预转变,再升温至750℃保温3h,实现不可逆结构转变。

4.根据权利要求1所述的制备方法,其特征在于:

步骤2中,所述球磨是在转速500r/min下球磨3h。

5.根据权利要求1所述的制备方法,其特征在于:

步骤3中,所述氢气还原的还原温度为300℃,还原时间为1小时。

6.根据权利要求1所述的制备方法,其特征在于:

步骤3中,所述化学镀铜溶液是为硫酸铜、乙二胺四乙酸二钠和甲醛的水溶液,化学镀铜溶液中硫酸铜的浓度为1-7g/L,乙二胺四乙酸二钠的浓度为3.5-25.0g/L,甲醛的浓度为1.8-13mL/L,通过氢氧化钠调节pH值至11~12。

7.根据权利要求1所述的制备方法,其特征在于:

步骤4中,放电等离子烧结炉的升温速率为60℃/min。

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