[发明专利]一种发光二极管外延片及其制作方法

权利要求书

1.一种发光二极管外延片，所述发光二极管外延片包括衬底、缓冲层、N型半导体层、有源层和P型半导体层，所述缓冲层铺设在所述衬底上，其特征在于，所述N型半导体层的第一表面铺设在所述缓冲层上，所述N型半导体层的第二表面包括凸起部和凹陷部，所述第二表面为与所述第一表面相反的表面；所述有源层铺设在所述凸起部和所述凹陷部上，所述P型半导体层铺设在所述有源层上，所述P型半导体层和所述有源层的厚度之和小于所述凸起部的高度。

2.根据权利要求1所述的发光二极管外延片，其特征在于，所述凸起部的高度为2μm～8μm。

3.根据权利要求2所述的发光二极管外延片，其特征在于，所述凸起部包括曲面，所述曲面与所述凹陷部相交，所述曲面上各个点的切平面与所述凹陷部之间的夹角为钝角。

4.根据权利要求3所述的发光二极管外延片，其特征在于，所述凸起部还包括平面，所述平面与所述凹陷部平行，且所述平面与所述曲面相交。

5.根据权利要求1～4任一项所述的发光二极管外延片，其特征在于，所述凹陷部与所述第一表面之间的距离为1μm～3μm。

6.根据权利要求1～4任一项所述的发光二极管外延片，其特征在于，所述凸起部的数量为多个，多个所述凸起部以阵列方式设置在所述凹陷部中；或者，所述凹陷部的数量为多个，多个所述凹陷部以阵列方式设置在所述凸起部中。

7.一种发光二极管外延片的制作方法，其特征在于，所述制作方法包括：

在衬底上生长缓冲层；

在所述缓冲层上生长N型半导体层；

采用光刻技术和刻蚀技术对所述N型半导体层图形化，在所述N型半导体层的表面上形成凸起部和凹陷部；

在所述凸起部和所述凹陷部上生长有源层；

在所述有源层上生长P型半导体层，所述P型半导体层和所述有源层的厚度之和小于所述凸起部的高度。

8.根据权利要求7所述的制作方法，其特征在于，所述采用光刻技术和刻蚀技术对所述N型半导体层图形化，在所述N型半导体层的表面上形成凸起部和凹陷部，包括：

采用光刻技术在所述N型半导体层上形成设定图形的光刻胶，所述光刻胶包括以阵列方式设置在所述N型半导体层上的多个胶块，或者，所述光刻胶内设有以阵列方式排列的通孔；

采用刻蚀技术对所述N型半导体层图形化，在所述N型半导体层的表面上形成凸起部和凹陷部。

9.根据权利要求8所述的制作方法，其特征在于，所述光刻胶的厚度为2μm～8μm。

10.根据权利要求8或9所述的制作方法，其特征在于，所述采用刻蚀技术对所述N型半导体层图形化，在所述N型半导体层的表面上形成凸起部和凹陷部，包括：

采用等离子体刻蚀工艺对所述N型半导体层图形化，并控制等离子体组分的比例，使所述凸起部中与所述凹陷部相交的曲面上各个点的切平面与所述凹陷部之间的夹角为钝角。