[发明专利]可调节边缘射频等离子体分布的CCP刻蚀装置及其方法

权利要求书

1.一种可调节边缘射频等离子体分布的CCP刻蚀装置，其特征在于，包含：

相对设置的上电极以及下电极；

射频功率源，连接所述下电极或上电极；

偏置功率源，连接所述下电极；

边缘电极，呈环形，设置在所述下电极外围，并与下电极同心；

阻抗调节单元，一端连接边缘电极，另一端接地，以形成一个边缘射频电流接地通路；

静电夹盘，设置在所述下电极上方；

绝缘环，设置在所述下电极外围的延展部上方，所述边缘电极埋设在该绝缘环内；

所述静电夹盘用于固定待刻蚀的晶圆，还包括一个工艺套件位于绝缘环上方，所述工艺套件环绕所述晶圆，其中边缘电极的内侧壁直径大于等于所述工艺套件的外侧直径。

2.如权利要求1所述的可调节边缘射频等离子体分布的CCP刻蚀装置，其特征在于，所述的阻抗调节单元包含：

串联的电容和电感。

3.如权利要求2所述的可调节边缘射频等离子体分布的CCP刻蚀装置，其特征在于，还包含：

控制单元，连接阻抗调节单元中的电容和/或电感，以调节阻抗调节单元的阻抗。

4.如权利要求3所述的可调节边缘射频等离子体分布的CCP刻蚀装置，其特征在于：

所述的电容和/或电感为可变的。

5.如权利要求1所述的可调节边缘射频等离子体分布的CCP刻蚀装置，其特征在于，还包含：

传感器，设置在边缘射频电流接地通路中，以采集射频参数。

6.如权利要求5所述的可调节边缘射频等离子体分布的CCP刻蚀装置，其特征在于，还包含：

控制单元，连接阻抗调节单元以及传感器，以监测射频参数的变化并根据变化情况对阻抗调节单元的阻抗进行在线调节。

7.一种可调节边缘射频等离子体分布的方法，采用如权利要求1所述的CCP刻蚀装置来实现，其特征在于：

同时将射频功率源以及偏置功率源施加到所述下电极上；

根据需要对阻抗调节单元的阻抗进行调节，以调节边缘射频耦合，进而达到刻蚀均匀性调节的目的。

8.如权利要求7所述的可调节边缘射频等离子体分布的方法，其特征在于：

所述的阻抗调节单元包含串联的电容和电感；

所述阻抗调节单元的阻抗调节方法是：

对电容值和电感值进行调节，选择第一电感值配合第一可变电容值，以实现对高频40MHz-200MHz的高阻抗和对低频100kHz-10MHz阻抗的调节；

对电容值和电感值进行调节，选择第二电感值配合第二可变电容值，以实现对低频100kHz-10MHz的高阻抗和对高频400MHz-200MHz阻抗的调节，其中第一电感值大于第二电感值。