[发明专利]一种具有表面电荷区结构的功率器件有效
| 申请号： | 201810399461.9 | 申请日： | 2018-04-28 |
| 公开（公告）号： | CN108550628B | 公开（公告）日： | 2021-10-22 |
| 发明（设计）人： | 李琦;张昭阳;李海鸥;陈永和;张法碧;傅涛;鲍婷婷 | 申请（专利权）人： | 桂林电子科技大学 |
| 主分类号： | H01L29/786 | 分类号： | H01L29/786;H01L29/06 |
| 代理公司： | 北京中济纬天专利代理有限公司 11429 | 代理人： | 石燕妮 |
| 地址： | 541004 广西*** | 国省代码： | 广西;45 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 一种 具有 表面 电荷 结构 功率 器件 | ||
【权利要求书】：
1.一种具有表面电荷区结构的功率器件，包括由下至上依次设置的P衬底I(1)、浮空等位层(4)、P衬底II(2)和漂移区(5)；所述漂移区(5)上设置有N+漏区、漏电极(10)、栅电极(12)、源电极(11)、N+接触区、P阱(7)以及P+源区；
其特征在于，所述漂移区(5)的顶部且位于漂移区内设置有一系列沿横向等距离分布的N+电荷区(6)而形成表面电荷区； 所述表面电荷区的表面设置有SiO2埋层(8)，该功率器件还包括表面衬底(9)，所述表面衬底嵌入到SiO2埋层内， 所述表面衬底的表面与SiO2埋层齐平， 所述表面衬底(9)采用多晶硅氧化层结构。
2.根据权利要求1所述的一种具有表面电荷区结构的功率器件，其特征在于，相邻两个所述N+电荷区(6)的浓度、高度、宽度均相同。
3.根据权利要求1所述的一种具有表面电荷区结构的功率器件，其特征在于，所述栅电极(12)和所述源电极(11)均低于漂移区(5)的顶部。
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