[发明专利]一种用于单光子探测器的模拟计数电路在审
| 申请号： | 201810394391.8 | 申请日： | 2018-04-27 |
| 公开（公告）号： | CN108562366A | 公开（公告）日： | 2018-09-21 |
| 发明（设计）人： | 张有润;郭俊泽;路统霄;李俊焘;胡刚毅;张波 | 申请（专利权）人： | 电子科技大学 |
| 主分类号： | G01J11/00 | 分类号： | G01J11/00 |
| 代理公司： | 成都点睛专利代理事务所(普通合伙) 51232 | 代理人： | 葛启函 |
| 地址： | 611731 四川省成*** | 国省代码： | 四川;51 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 计数电路 电压跟随器 复位单元 输出端 输入端 单光子探测器 脉冲整形单元 电流镜单元 雪崩脉冲 传统的 光电技术领域 输出端连接 输入电流镜 输入端连接 放电通路 控制模拟 数字技术 填充系数 信号整形 制造成本 低电压 复位 半导体 电路 节约 | ||
1.一种用于单光子探测器的模拟计数电路，包括脉冲整形单元、电流镜单元、复位单元和电压跟随器，
所述脉冲整形单元的输入端作为所述模拟计数电路的输入端，其输出端连接所述电流镜单元的输入端；
所述复位单元的输入端连接复位信号(Vres)，其输出端连接所述电流镜单元的输出端和所述电压跟随器的输入端；
其特征在于，所述电流镜单元包括第一NMOS管(M1)、第二NMOS管(M2)、第三NMOS管(M3)、第四NMOS管(M4)和第五NMOS管(M5)，
第一NMOS管(M1)的栅极作为所述电流镜单元的输入端，其漏极连接电源电压(VDD)，其源极连接第二NMOS管(M2)的漏极以及第三NMOS管(M3)和第五NMOS管(M5)的栅极；
第四NMOS管(M4)的栅极连接第二NMOS管(M2)的栅极并连接偏置电压(Vbias)，其源极连接第五NMOS管(M5)的漏极，其漏极作为所述电流镜单元的输出端；
第三NMOS管(M3)的漏极连接第二NMOS管(M2)的源极，其源极连接第五NMOS管(M5)的源极并接地(GND)；
所述电压跟随器包括第六NMOS管(M6)和第七NMOS管(M7)，第六NMOS管(M6)的栅极作为所述电压跟随器的输入端，其漏极连接电源电压，其源极连接第七NMOS管(M7)的栅极和漏极并作为所述模拟计数电路的输出端，第七NMOS管(M7)的源极接地(GND)。
2.根据权利要求1所述的用于单光子探测器的模拟计数电路，其特征在于，所述脉冲整形单元包括第八NMOS管(M0)，第八NMOS管(M0)的栅极连接电源电压(VDD)，其源极作为所述脉冲整形单元的输入端，其漏极作为所述脉冲整形单元的输出端。
3.根据权利要求1所述的用于单光子探测器的模拟计数电路，其特征在于，所述复位单元包括第一PMOS管(M8)和第一电容(C1)，
第一PMOS管(M8)的栅极作为所述复位单元的输入端，其源极连接第一电容(C1)的一端并连接电源电压(VDD)，其漏极连接第一电容(C1)的另一端并作为所述复位单元的输出端。
4.根据权利要求2所述的用于单光子探测器的模拟计数电路，其特征在于，所述所有NMOS管的衬底与地电压(GND)连接。
5.根据权利要求3所述的用于单光子探测器的模拟计数电路，其特征在于，所述第一PMOS管(M8)的衬底与电源电压(VDD)连接。
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