[发明专利]一种金属氧化物透明导电薄膜的制备方法及其产品和用途

权利要求书

1.一种金属氧化物透明导电薄膜的制备方法，其特征在于，包括如下步骤：

(1)向反应腔中通入第一金属前驱体，清洗，通入H₂O气体进行化学吸附，然后通入惰性气体辅助等离子体起辉，发生原位氧化，清洗；

(2)将步骤(1)重复N₁次后，得到第一金属氧化物膜；

(3)通入第二金属前驱体，清洗，通入H₂O气体进行化学吸附，然后通入惰性气体辅助等离子体起辉，发生原位氧化，清洗；

(4)将步骤(3)重复N₂次后，得到第二金属氧化物膜；

(5)将步骤(1)～(4)重复M次，得到金属氧化物透明导电薄膜；

其中，N₁:N₂＝(14～21):(1～4)，M＝10～40。

2.如权利要求1所述的金属氧化物透明导电薄膜的制备方法，其特征在于，所述金属氧化物透明导电薄膜包括AZO薄膜、GZO薄膜、IZO薄膜或ITO薄膜中的任意一种。

3.如权利要求1或2所述的金属氧化物透明导电薄膜的制备方法，其特征在于，步骤(1)所述第一金属前驱体和步骤(3)所述第二金属前驱体各自独立地为卤化物、烷基化合物、烷氧基化合物、烷氨基化合物、环戊二烯基化合物、β-二酮化合物、脒基化合物和胍基化合物中的任意一种或至少两种的组合。

4.如权利要求3所述的金属氧化物透明导电薄膜的制备方法，其特征在于，各原料均为电子级纯度。

5.如权利要求1所述的金属氧化物透明导电薄膜的制备方法，其特征在于，步骤(1)和步骤(3)中通入金属前驱体的时长各自独立地为0.01～0.05s。

6.如权利要求1或5所述的金属氧化物透明导电薄膜的制备方法，其特征在于，步骤(1)和步骤(3)中通入金属前驱体后，各自独立地紧接着进行残余气体的抽离。

7.如权利要求6所述的金属氧化物透明导电薄膜的制备方法，其特征在于，所述抽离的时间不大于20s。

8.如权利要求1所述的金属氧化物透明导电薄膜的制备方法，其特征在于，步骤(1)和步骤(3)中所述通入H₂O气体的时长各自独立地为0.01～0.05s。

9.如权利要求1或8所述的金属氧化物透明导电薄膜的制备方法，其特征在于，步骤(1)和步骤(3)中所述通入H₂O气体后，各自独立地紧接着进行残余气体的抽离。

10.如权利要求9所述的金属氧化物透明导电薄膜的制备方法，其特征在于，所述抽离的时间不大于20s。

11.如权利要求1所述的金属氧化物透明导电薄膜的制备方法，其特征在于，步骤(1)通入的气体H₂O与第一金属前驱体的摩尔比为(2～4):1。

12.如权利要求1或11所述的金属氧化物透明导电薄膜的制备方法，其特征在于，步骤(3)通入的气体H₂O与第二金属前驱体的摩尔比为(3～6):1。

13.如权利要求1所述的金属氧化物透明导电薄膜的制备方法，其特征在于，步骤(1)和步骤(3)中所述惰性气体各自独立地选自氮气、氦气、氖气、氩气、氪气或氙气中的任意一种或至少两种的组合。

14.如权利要求13所述的金属氧化物透明导电薄膜的制备方法，其特征在于，步骤(1)和步骤(3)中所述惰性气体各自独立地选自氮气和/或氩气。