[发明专利]一种忆阻器件的制备方法

权利要求书

1.一种忆阻器件的制备方法，具体包括如下步骤：

步骤一、将准备好的红薯皮，通过日晒干燥，备用；

步骤二、将干燥的红薯皮，使用200目的粉碎机粉碎，研磨，过滤获取微米级的红薯皮粉末，备用；

步骤三、制备混合溶液：将体积百分比为50％～55％的红薯皮粉末与体积百分比为20％～25％的聚偏氟乙烯混合均匀，再加入体积百分比为20％～25％水充分搅拌，制成混合溶液；

步骤四、用掺杂氟的SnO₂透明导电玻璃FTO做基片，基片的电阻是20Ω，利用旋涂法将步骤三得到的混合溶液在基片导电的一面旋涂成薄膜作为器件的介电层；

步骤五、将步骤四中得到的带介电层的基片，在30℃的干燥箱里干燥12小时以上；

步骤六、将步骤五中干燥之后的基片放入真空沉积设备，抽真空；

步骤七、通过直流溅射在介电层的表面沉积金属银作为器件的上电极，工作气压为2pa，溅射电流为0.1A，溅射时间为10分钟，得到具有Ag/红薯皮/FTO结构的忆阻器件。

2.根据权利要求书1中所述的一种忆阻器件的制备方法，其特征在于：所述基片采用具有导电薄膜的平整玻璃、石英的硬质材料。

3.根据权利要求书1中所述的一种忆阻器件的制备方法，其特征在于：所述介电层为在带有导电薄膜的玻璃基片上涂敷一层厚度为20μm±5的红薯皮粉末和聚偏氟乙烯的混合溶液干燥后得到。

4.根据权利要求书1中所述的种忆阻器件的制备方法，其特征在于：所述上电极采用Ag或Ti，或者Cu金属电极均可。