[发明专利]非易失性半导体存储装置

权利要求书

1.一种非易失性半导体存储装置，在读出在存储器单元中存储的存储电位之后，在所述存储器单元中进行参照电位的写入和读出，将从所述存储器单元读出的所述存储电位与所述参照电位比较，由此，进行数据的读出，所述非易失性半导体存储装置的特征在于，具有：

第一电位保持线，对从所述存储器单元读出的所述存储电位进行保持；

第二电位保持线，对从所述存储器单元读出的所述参照电位进行保持；

读出放大器，一端连接于所述第一电位保持线，并且，另一端连接于所述第二电位保持线，对由所述第一电位保持线保持的所述存储电位与由所述第二电位保持线保持的所述参照电位的电位差进行放大；

电容元件，连接于所述第一电位保持线；

第一可变电容装置，能够调整电容值，并且，经由所述电容元件连接于所述第一电位保持线；

偏移指令信号供给部，将用于控制偏移量的偏移指令信号向所述第一可变电容装置供给；以及

第二可变电容装置，能够调整电容值，并且，连接于所述第二电位保持线。

2.根据权利要求1所述的非易失性半导体存储装置，其特征在于，所述第一可变电容装置和所述第二可变电容装置的每一个包含以能经由切换开关切换连接或非连接的方式并联连接的多个电容元件。

3.根据权利要求1或2所述的非易失性半导体存储装置，其特征在于，所述第二可变电容装置能够取得的最大的电容值比所述第一可变电容装置能够取得的最大的电容值小。

4.根据权利要求1或2所述的非易失性半导体存储装置，其特征在于，具有：

第一开关元件，插入到所述第一电位保持线与所述电容元件之间，对所述第一电位保持线与所述电容元件的连接或非连接进行切换；以及

第二开关元件，连接在所述第二电位保持线与所述第二可变电容装置之间，对所述第二电位保持线与所述第二可变电容装置的连接或非连接进行切换。

5.根据权利要求4所述的非易失性半导体存储装置，其特征在于，所述第一开关元件和所述第二开关元件根据第一选择信号同时为接通或关断。

6.根据权利要求1或2所述的非易失性半导体存储装置，其特征在于，所述电容元件、所述第一可变电容装置和所述第二可变电容装置由MOS电容构成。

7.一种非易失性半导体存储装置，在读出在存储器单元中存储的存储电位之后，在所述存储器单元中进行参照电位的写入和读出，将从所述存储器单元读出的所述存储电位与所述参照电位比较，由此，进行数据的读出，所述非易失性半导体存储装置的特征在于，具有：

第一电位保持线，对从所述存储器单元读出的所述存储电位进行保持；

第二电位保持线，对从所述存储器单元读出的所述参照电位进行保持；

读出放大器，一端连接于所述第一电位保持线，并且，另一端连接于所述第二电位保持线，对由所述第一电位保持线保持的所述存储电位与由所述第二电位保持线保持的所述参照电位的电位差进行放大；

电容元件，连接于所述第一电位保持线；

可变电容装置，能够调整电容值，并且，经由所述电容元件连接于所述第一电位保持线；

偏移指令信号供给部，将用于控制偏移量的偏移指令信号向所述可变电容装置供给；

第一开关元件，插入到所述第一电位保持线与所述电容元件之间，对所述第一电位保持线与所述电容元件的连接或非连接进行切换；以及

第二开关元件，连接于所述第二电位保持线。

8.根据权利要求7所述的非易失性半导体存储装置，其特征在于，所述第二开关元件的一端连接于浮动电位或接地电位。

9.根据权利要求7或8所述的非易失性半导体存储装置，其特征在于，在进行从所述存储器单元的存储电位的读出、向所述存储器单元的参照电位的写入和读出、以及所述存储电位与所述参照电位的比较的期间，所述第二开关元件被保持为非连接状态。