[发明专利]利用记忆合金驱动的微泵

权利要求书

1.利用记忆合金驱动的微泵，其特征是：包括驱动层（2）、收缩扩张层（3）和基座（4），所述的驱动层（2）包括记忆合金电阻条（1）和C形硅罩（21），泵腔截面为圆形，记忆合金电阻条（1）为圆形双螺旋式结构；所述的收缩扩张层（3）包括扩散管（6）和收缩管（5），两管之间设有圆柱形有机玻璃腔（7），有机玻璃腔（7）与泵腔穿通。

2.根据权利要求1所述的利用记忆合金驱动的微泵，其特征是：所述的双螺旋合金电阻条（1）的宽度为250um，条间距为1OOum，电极是边长为2.5mm的正方形。

3.根据权利要求1所述的利用记忆合金驱动的微泵，其特征是：所述的扩散管（6）和收缩管（5）的总长度为5mm，其中最宽长度为1.25mm，出入水口（8）的边长为2.5mm。

4.根据权利要求1所述的利用记忆合金驱动的微泵，其特征是：所述的驱动层（2）的制作工艺如下：

S1，选择100晶向双面抛光的硅片,直径100mm，厚度为500um,然后用浓硫酸、1号液和2号液对硅片进行清洗；其中1号液的体积比是NH₄OH: H₂O₂: H₂O=1:2:5，

2号液的体积比是HCl: H₂O₂:H₂O=1:2:8；

S2，第二步:氧化,采用干一湿一干的方法对硅片进行氧化，干氧时间为20分钟，湿氧时间为40分钟，在温度为1180℃，压强为101kPa的氧化炉中进行；

S3，甩胶，利用光刻胶将氧化后的硅片固定在卡盘上，卡盘的转速为4000r/min，甩胶60秒，使光刻胶能够均匀的覆盖在氧化硅的表面；

S4，前烘，将甩胶后的片子放入温度为80℃的烘干箱中烘干，时间为20

分钟；

S5，曝光、光刻，在掩膜片上使用250W、波长λ=436nm紫外线的光刻工艺，曝光时间是10s，掩膜片是利用Prote199se做出的胶膜；

S6，显影、定影，利用2次丁酮和1次丙酮对硅片进行显影和定影，显影和定影的时间均为55s；

S7，坚膜,将定影后的硅片放入200℃的烘干箱中坚膜40分钟；

S8，利用腐刻液刻蚀SiO₂，露出腐蚀窗口；

S9，去胶；

S10，利用EPW腐蚀液对硅片进行腐蚀，腐蚀出c形硅杯；

S11，利用腐刻液刻蚀SiO₂；

S12，磁控溅射形状记忆合金；

S13, 晶化处理；

S14, 光刻；

S15，腐蚀出双螺旋式合金电阻条，腐蚀液为:HF: HNO₃: H₂O₂: H₂0=15%:15% : 2% :68%，室温条件下腐蚀1分钟；

S16，去胶。