[发明专利]粘合薄膜

说明书

本发明提供一种用于LED或者Micro LED显示或者照明生产过程中的LED或者Micro LED芯片转写时，所使用的一种粘合薄膜(粘合薄膜)。转移过程前，粘合薄膜具有高粘着力用于贴合LED芯片或Micro LED芯片，并且具有良好的拉伸性能，按照指定倍率拉伸后，经过UV照射可以固化粘合薄膜中的胶粘剂层，使LED芯片或Micro LED芯片可以轻易剥离，达到准确，高效转写的目的。

技术领域

本发明涉及发光二极管照明元件或发光二极管显示元件(light emittingdiode，以下合并简称LED)制造过程中使用的LED芯片转写用途粘合薄膜。

背景技术

目前，在手机与平板电脑等中小型显示器领域里，液晶显示技术最为成熟，产能和成本优势明显，但是受限于液晶显示技术需要背光模组的特点，无法达到轻薄化以及高对比度的技术要求。近几年，由三星等韩系厂商主导的OLED(Organic Light-EmittingDiode)技术在手机显示用途大放异彩，OLED显示技术凭借高色域，高亮度，高对比度，无需背光，超轻薄等特点，大量用于三星的Galaxy系列，iPhone X以及国内高端机种。

虽然中国国内厂商对于OLED技术大力投入研发并试生产，但目前仍存在良率低下的问题。短时间内OLED技术仍然被韩系厂商把持并持续领先。作为OLED技术的竞争技术，Micro LED(微型发光二极管)应运而生，该技术具有比OLED更高的发光效率，发光亮度更高等特点。Micro LED作为自发光显示技术，其每一个画素都可作为单点驱动发光，尺寸为目前主流LED的1％左右，透过微小化LED结构排列，将像素点的距离由原本毫米级降到微米级，分辨率可轻易达到1,500ppi以上，高于现有Retina显示的400ppi达3.5倍。

但是Micro LED的一个重要技术瓶颈是巨量转移(Mass Transfer)，在衬底上制作好的LED芯片需要精准，高效的转移到指定的电路基板上，该问题成为了困扰业界的一个重大难题。

发明内容

考虑到现有技术没有适合的巨量转移方法，本发明提供了一种用于LED芯片特别是Micro LED芯片在制造过程中，在LED芯片或Micro LED芯片从衬底转移到电路基板时需要使用的一种转写用途粘合薄膜。

为了解决现有技术的缺陷，本发明提供一种粘合薄膜，其含有一层或多层基膜以及一层或多层的胶粘剂层；所述胶粘剂层的初期粘着力为200gf/25mm以上，并且在经过400mj/cm2的UV照射后，粘着力下降到50gf/25mm以下。

其中胶粘剂部分为UV硬化型胶粘剂；

由于转写工艺中，前期需要贴合抓取LED或Micro LED芯片，所以需要高粘着力保证芯片不会在转写时掉落。优选胶粘剂层的初期粘着力为300gf/25mm以上；

由于转写工艺中，在UV照射后需要剥离LED或Micro LED芯片，要求UV照射后下降到较低的粘着力，以保证芯片可以顺利脱落。优选粘着力下降到20gf/25mm以下，为了保证脱落速度和成功率，更进一步优选为10gf/25mm以下。

为了使得粘合薄膜具有良好的拉伸性能，以较低的拉伸力，并且拉伸到一定倍率后也不会破裂，本发明使用具有弹性的无色透明基膜，优选在MD方向和在TD方向上，其拉伸强度在100MPa以下，为了更加容易的拉伸扩大薄膜，进一步优选在80MPa以下，并且同时满足断裂伸长率在200％以上，为了适应更大的拉伸倍率需求，进一步优选为断裂伸长率在250％以上。

现有技术中贴合有LED芯片的粘合薄膜在拉伸时，胶粘剂层也一并被拉伸，粘着力会有所下降，导致贴合的LED芯片脱落。因此，本发明中所述的胶粘剂层使用具有拉伸追从性的胶粘剂，优选在所述粘合粘合薄膜被以拉伸倍率100％拉伸时，拉伸前的粘着力F1与100％拉伸后的粘着力F2满足以下式1-式3:

|F1|≧200  式1；