[发明专利]一种图像传感器的线性度的检测方法及检测装置有效
| 申请号: | 201810387347.4 | 申请日: | 2018-04-26 |
| 公开(公告)号: | CN108627467B | 公开(公告)日: | 2021-02-02 |
| 发明(设计)人: | 张新宇 | 申请(专利权)人: | 深圳怡化电脑股份有限公司;深圳市怡化时代科技有限公司;深圳市怡化金融智能研究院 |
| 主分类号: | G01N21/27 | 分类号: | G01N21/27;G01N21/17 |
| 代理公司: | 深圳中细软知识产权代理有限公司 44528 | 代理人: | 阎昱辰 |
| 地址: | 518000 广东省深圳市南山*** | 国省代码: | 广东;44 |
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| 摘要: | |||
| 搜索关键词: | 一种 图像传感器 线性 检测 方法 装置 | ||
1.一种图像传感器的线性度检测方法,其包括如下步骤:
设置任意4个曝光时间百分比,所述曝光时间百分比指在扫描图像过程中的曝光时间与完成图像扫描所需要时间之间的百分比;
获取待检测介质在任一曝光时间百分比时,所述待检测介质处于非曝光状态的电压值;
对待检测介质进行反射和/或透射检测,获取待检测介质在任一曝光时间百分比时,所述待检测介质处于曝光状态的电压值;
计算所述待检测介质在任一曝光时间百分比所对应的电压差值,其中任一曝光时间百分比所对应的电压差值为在该曝光时间百分比时,所述待检测介质处于曝光状态的电压值与处于非曝光状态的电压值之间的差值;
根据任意4个曝光时间百分比以及4个曝光时间百分比所对应的电压差值计算所述图像传感器的线性度;
其中,所述获取待检测介质在任一曝光时间百分比时,所述待检测介质处于非曝光状态的电压值,包括:
对于任一列像素,获取在任一曝光时间百分比时,该列像素中的任一像素采集的所述待检测介质处于非曝光状态的电压;
对任一像素采集的待检测介质处于非曝光状态的电压进行求和取平均值,从而获得在该任一曝光时间百分比时,该列像素采集的被检测图像介质处于非曝光状态的列平均电压值;
其中,所述对待检测介质进行反射和/或透射检测,获取待检测介质在任一曝光时间百分比时,所述待检测介质处于曝光状态的电压值包括:
对于任一列像素,获取在任一曝光时间百分比时,该列像素中的任一像素采集的所述待检测介质处于曝光状态的电压;
对任一像素采集的待检测介质处于曝光状态的电压进行求和取平均值,从而获得在该任一曝光时间百分比时,该列像素采集的被检测图像介质处于曝光状态的列平均电压值;
其中,计算所述待检测介质在任一曝光时间百分比所对应的电压差值包括:
对于任一曝光时间百分比,利用该曝光时间百分比时,被检测图像介质处于曝光状态的列平均电压值减去其处于非曝光状态的列平均电压值,从而获得该曝光时间百分比所对应的列电压差值;
其中,根据所述任意4个曝光时间百分比以及4个曝光时间百分比所对应的电压差值计算所述图像传感器的线性度,包括:
利用所述设置的任意4个曝光时间百分比以及该4个曝光时间百分比所对应的列电压差值计算所述图像传感器的线性度;
其中,利用公式
计算所述图像传感器的列线性度,其中a,b,c,d为任意设置的4个曝光时间百分比,γN为图像传感器第N列的线性度,VEpaN为当曝光时间百分比为a时所对应的第N列的电压差值,VEpbN为当曝光时间百分比为b时所对应的第N列的电压差值,VEpcN为当曝光时间百分比为c时所对应的第N列的电压差值,VEpdN为当曝光时间百分比为d时所对应的第N列的电压差值。
2.如权利要求1所述的一种图像传感器的线性度的检测方法,其特征在于:根据所述任意4个曝光时间百分比以及4个曝光时间百分比所对应的电压差值计算所述图像传感器的线性度之后,还包括:
判断计算的图像传感器的线性度是否处于设定的范围内,如果处于设定的范围内,则判定所述图像传感器的线性度满足条件;否则,判定所述图像传感器的线性度不满足条件。
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