[发明专利]一种紧凑型集成多赫蒂放大器有效
申请号: | 201810385233.6 | 申请日: | 2018-04-26 |
公开(公告)号: | CN110417357B | 公开(公告)日: | 2023-06-27 |
发明(设计)人: | 张勇 | 申请(专利权)人: | 苏州远创达科技有限公司 |
主分类号: | H03F1/02 | 分类号: | H03F1/02;H03F1/56;H03F3/68 |
代理公司: | 苏州创元专利商标事务所有限公司 32103 | 代理人: | 范晴;丁浩秋 |
地址: | 215123 江苏省苏州市*** | 国省代码: | 江苏;32 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 一种 紧凑型 集成 多赫蒂 放大器 | ||
1.一种紧凑型集成多赫蒂放大器,包括:
输入,输出,主放大器,及至少一个辅放大器,其特征在于,所述主放大器的输出节点通过高阻变换线与辅放大器的输出节点连接,所述高阻变换线还连接寄生参数平衡网络,将辅放大器的输出节点作为输出;
所述寄生参数平衡网络包括平衡电感和与平衡电感串联的接地平衡电容;
高阻变换线的中间抽头连接寄生参数平衡网络的平衡电感,平衡电感的另一端与接地的平衡电容形成串联电路;所述高阻变换线与寄生参数平衡网络一同吸收晶体管寄生参数;
高阻变换线与寄生参数平衡网络以及主放大器和辅放大器的寄生参数共同构成多赫蒂放大器倒相电路。
2.根据权利要求1所述的紧凑型集成多赫蒂放大器,其特征在于,所述高阻变换线包括两个串联连接的电感,所述寄生参数平衡网络连接于两个电感的连接节点。
3.根据权利要求1-2任一项所述的紧凑型集成多赫蒂放大器,其特征在于,所述输入位于第一衬底上,所述主放大器、高阻变换线、及辅放大器集成于第二衬底上,所述寄生参数平衡网络及输出位于第三衬底上。
4.根据权利要求1-2任一项所述的紧凑型集成多赫蒂放大器,其特征在于,所述输入、主放大器、高阻变换线、及辅放大器、寄生参数平衡网络、及输出集成于同一有源衬底上。
5.根据权利要求1所述的紧凑型集成多赫蒂放大器,其特征在于,所述辅放大器的输出节点连接阻抗变换器后作为输出。
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