[发明专利]一种石墨烯及其低成本制备方法有效

专利信息
申请号: 201810384292.1 申请日: 2018-04-26
公开(公告)号: CN108314017B 公开(公告)日: 2020-02-14
发明(设计)人: 顾健;庞爱民;郭翔;李磊 申请(专利权)人: 湖北航天化学技术研究所
主分类号: C01B32/184 分类号: C01B32/184
代理公司: 11009 中国航天科技专利中心 代理人: 范晓毅
地址: 441003 湖*** 国省代码: 湖北;42
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摘要:
搜索关键词: 石墨烯 制备 塑料制品 低成本 碳化 废弃塑料制品 聚苯乙烯塑料 固体推进剂 聚乙烯塑料 超声清洗 导电材料 二次煅烧 方法适合 环保压力 散热结构 导电率 细粒度 可控 球磨 洗涤 破碎 涂料 废弃 塑料 环保 应用 生产
【说明书】:

发明涉及一种石墨烯及其低成本制备方法,将塑料制品超声清洗,随后将塑料制品破碎并球磨,得到塑料制品微碎片;然后通过碳化,球磨获得细粒度的碳化粉,再后对碳化粉进行二次煅烧,并通过洗涤、纯化、干燥后最终获得石墨烯;本发明以塑料制品或日常废弃塑料制品,尤其是聚乙烯塑料、聚苯乙烯塑料等为原料,通过特定工艺方法制备石墨烯,制备得到的石墨烯不仅具有成本低、层数可控、比表面积大、导电率高的优点,而且以废弃塑料为原料大大降低环保压力;本方法适合于低成本石墨烯的制备和生产,成果可以应用于导电材料、环保、涂料、散热结构、固体推进剂的研制。

技术领域

本发明涉及一种石墨烯及其低成本制备方法,属于石墨烯制备技术领域。

背景技术

石墨烯是一种由碳原子以sp2杂化轨道组成六角型呈蜂窝晶格的平面薄膜,只有一个碳原子厚度的二维材料。从石墨烯上“裁剪”出不同形状的片层,翘曲能够得到零维的富勒烯,卷曲可以得到一维桶状的碳纳米管,堆叠可以得到三维的石墨,因此我们认为石墨烯是构成其它碳材料的基本单元,是目前为止最为理想的碳材料。以石墨烯为代表的二维晶体材料的成功制备,开辟了新型纳米材料和功能材料/器件发展的新纪元。

石墨烯独特的晶体结构,使其具有许多独特的性能,如超大的比表面积、优异的光学性能、良好的导电性和导热性、高的力学强度、高载流子浓度迁移率等。石墨烯的理论比表面积达到2630m2/g,大约3g石墨烯可以铺满一个标准足球场;石墨烯的光学透过率高达97.3%,近乎透明;石墨烯室温下载流子迁移速率高达200000cm2/(V·s),是硅的140倍;石墨烯的理论电导率为104S/m,是室温下导电性最佳的材料,并且其低温条件下电阻率甚至趋近于零,热导率高达5000W/(m·K),高于碳纳米管和金刚石,是室温下铜的热导率的10多倍,也是目前热导率最高的材料;石墨烯的杨氏模量高达1TPa,是钢的10几倍,堪称最硬的材料。石墨烯优异的综合性能使其在代替硅电子产品、光电子传感器、纳米电子器件、超级电容器、太阳能电池、燃料电池、锂离子电池、透明导电触摸面板、柔性显示屏、生物/分子传感器、光学调制器、医药材料、催化剂、抗菌/防腐蚀材料等十多个民用领域得到广泛应用。

目前,石墨烯的制备方法较多,常见的制备方法包括微机械剥离法、SiC外延生长法、氧化还原法和化学气相沉积(CVD)法。微机械剥离法可以制得微米级的石墨烯,但是其可控性差、产率较低,难以进行规模化生产;采用外延生长法,通过加热在SiC(0001)晶面表面外延生长可获得大面积的单层石墨烯,但是其生长效率低、可控性差且难以转移;氧化还原法是目前产业化石墨烯制备的主流方法,但是该方法获得石墨烯缺陷较多导致层数较多、品质较差,在电子领域应用比较困难;CVD法是获得高品质石墨烯的途径之一,但是其最大的问题也是难以产业化生产。因此,现有的主要制备技术存在成本高、产率低、耗时长、实验条件苛刻等问题。

发明内容

本发明的目的在于克服现有技术的上述缺陷,提供一种石墨烯及其低成本制备方法,该方法以塑料制品或日常废弃塑料制品,尤其是聚乙烯塑料、聚苯乙烯塑料等为原料,通过特定工艺方法制备石墨烯,制备得到的石墨烯不仅具有成本低、层数可控、比表面积大、导电率高的优点,而且以废弃塑料为原料大大降低环保压力;本方法适合于低成本石墨烯的制备和生产,成果可以应用于导电材料、环保、涂料、散热结构、固体推进剂的研制。

本发明的上述目的主要通过如下技术方案予以实现:

一种石墨烯的低成本制备方法,包括如下步骤:

(1)、将塑料制品破碎或裁切后进行球磨,得到塑料碎片;

(2)、将所述塑料碎片在真空条件下进行高温碳化,并将碳化后得到的粉末块进行球磨,得到碳化粉;

(3)、将所述碳化粉在真空条件下,且通入还原气体和保护气体的条件下进行煅烧;

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