[发明专利]等离子处理装置

说明书

本发明提供一种等离子处理装置。该等离子处理装置抑制相对于被处理体的等离子处理的均匀性的下降。等离子处理装置(10)具有第1载置台(2)、第2载置台(7)以及升降机构(120)。第1载置台(2)载置成为等离子处理的对象的晶圆(W)。第2载置台(7)设于第1载置台(2)的外周，并载置聚焦环(5)，且在内部设有制冷剂流路(7d)和加热器(9a)。升降机构(120)使第2载置台(7)升降。

技术领域

本发明的各个方面以及实施方式涉及一种等离子处理装置。

背景技术

以往以来，公知有一种对半导体晶圆(以下称作“晶圆”)等被处理体使用等离子进行蚀刻等的等离子处理的等离子处理装置。该等离子处理装置在进行等离子处理时，腔室内的部件产生消耗。例如，由于以等离子的均匀化为目的而设于晶圆的外周部的聚焦环靠近等离子，因此消耗速度较快。聚焦环的消耗程度较大程度地影响晶圆上的处理结果。例如，当聚焦环上的等离子体鞘层的高度位置和晶圆上的等离子体鞘层的高度位置产生偏差时，晶圆的外周附近的蚀刻特性下降，影响均匀性等。因此，在等离子处理装置中，当聚焦环消耗一定程度时，开放大气并更换聚焦环。

但是，在等离子处理装置中，在开放大气时，在维护方面花费时间。而且，在等离子处理装置中，在部件更换的频率升高时，生产性下降，还会对成本方面产生影响。

于是，提案有一种以使晶圆的高度和聚焦环的高度始终保持恒定的方式利用驱动机构使聚焦环上升的技术(例如，参照下述专利文献1)。

专利文献1：日本特开2002－176030号公报

发明内容

发明要解决的问题

然而，在根据消耗而使聚焦环上升的情况下，聚焦环与载置面分开。在等离子处理装置中，在聚焦环自载置面分开的情况下，无法进行相对于热量输入的排热而使聚焦环成为高温，存在蚀刻特性产生变化的情况。该结果导致在等离子处理装置中相对于被处理体的等离子处理的均匀性下降。

用于解决问题的方案

根据一实施方式，所公开的等离子处理装置具有第1载置台、第2载置台以及升降机构。第1载置台载置成为等离子处理的对象的被处理体。第2载置台设于第1载置台的外周，并载置聚焦环，且在内部设有调温机构。升降机构使第2载置台升降。

发明的效果

根据所公开的等离子处理装置的一方式，起到能够抑制相对于被处理体的等离子处理的均匀性的下降的效果。

附图说明

图1是表示实施方式的等离子处理装置的概略结构的概略剖视图。

图2是表示第1实施方式的第1载置台和第2载置台的主要部位结构的概略剖视图。

图3是从上方观察第1载置台和第2载置台的俯视图。

图4是表示激光束的反射的系统的图。

图5是表示光的检测强度的分布的一例子的图。

图6是说明使第2载置台上升的流程的一例子的图。

图7是表示比较例的结构的一例子的图。

图8是表示蚀刻特性的变化的一例子的图。

图9是表示第2实施方式的第1载置台和第2载置台的主要部位结构的立体图。

图10是表示第2实施方式的第1载置台和第2载置台的主要部位结构的概略剖视图。

附图标记说明