[发明专利]一种真空封装结构及其封装方法有效
| 申请号： | 201810382661.3 | 申请日： | 2018-04-26 |
| 公开（公告）号： | CN108640079B | 公开（公告）日： | 2020-06-23 |
| 发明（设计）人： | 徐德辉 | 申请（专利权）人： | 上海烨映电子技术有限公司 |
| 主分类号： | B81B7/02 | 分类号： | B81B7/02;B81C1/00 |
| 代理公司： | 上海光华专利事务所(普通合伙) 31219 | 代理人： | 余明伟 |
| 地址： | 201899 上海市嘉定区*** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 一种 真空 封装 结构 及其 方法 | ||
【权利要求书】：
1.一种真空封装结构的封装方法，其中，所述方法包括以下步骤：
步骤一、依次在封装腔体(1)内的硅衬底(11)上刻蚀空柱结构(12)和沟渠结构(13)，并分别在所述空柱结构(12)和所述沟渠结构(13)中填充薄膜(14)，并进行平坦化处理形成支撑膜(15)，其中，所述支撑膜(15)粘接在所述硅衬底(11)的刻蚀面；
步骤二、在所述支撑膜(15)上制作敏感微结构(2)；
步骤三、在所述敏感微结构(2)上沉积敏感薄膜材料，形成敏感薄膜(3)；
步骤四、贯穿所述敏感微结构(2)和所述敏感薄膜(3)，且在垂直于所述硅衬底(11)的刻蚀面上制作释放孔(4)；
步骤五、从所述释放孔(4)处对所述硅衬底(11)进行腐蚀，形成悬浮膜结构(16)，其中，所述硅衬底(11)的腐蚀深度大于所述沟渠结构(13)的刻蚀深度且小于所述空柱结构(12)的刻蚀深度；
步骤六、通过所述释放孔(4)将所述悬浮膜结构(16)内抽空，形成真空腔(17)，并将通孔密封塞(5)与所述释放孔(4)密封连接。
2.根据权利要求1所述的真空封装结构的封装方法，其中，所述步骤一中的依次在封装腔体(1)内的硅衬底(11)上刻蚀空柱结构(12)和沟渠结构(13)，包括：
采用深硅等离子刻蚀技术，依次在封装腔体(1)内的硅衬底(11)上刻蚀空柱结构(12)和沟渠结构(13)。
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