[发明专利]SPM清洗设备的晶圆静电释放装置及方法

权利要求书

1.一种SPM清洗设备的晶圆静电释放装置，其特征在于,晶圆静电释放装置包括：离子发生器和离子喷嘴，所述离子喷嘴和所述离子发生器连接，所述离子发生器产生正负电荷；

所述离子喷嘴设置在SPM清洗设备的清洗腔体中；

在所述清洗腔体中具有晶圆放置平台，SPM清洗时所述晶圆放置在所述晶圆放置平台上；

通过所述离子喷嘴喷射正负电荷到所述晶圆的表面实现所述晶圆表面的静电释放。

2.如权利要求1所述的SPM清洗设备的晶圆静电释放装置，其特征在于：所述离子喷嘴的喷出位置的纵向坐标能调节，通过调节所述离子喷嘴的喷出位置的纵向坐标调节所述离子喷嘴的喷出位置和所述晶圆之间的间距，所述间距越小，正负电荷达到所述晶圆的表面前中和的量越少，所述晶圆表面的静电释放效果越明显。

3.如权利要求2所述的SPM清洗设备的晶圆静电释放装置，其特征在于：所述间距小于30厘米。

4.如权利要求1或2所述的SPM清洗设备的晶圆静电释放装置，其特征在于：所述离子喷嘴的喷出位置的横向坐标能调节，通过调节所述离子喷嘴的喷出位置的横向坐标调节所述离子喷嘴的喷出位置所覆盖的所述晶圆的区域。

5.如权利要求1或2所述的SPM清洗设备的晶圆静电释放装置，其特征在于：所述离子喷嘴的喷射正负电荷的时间能调节，通过调节所述离子喷嘴的喷射正负电荷的时间来将所述晶圆表面的静电完全去除。

6.如权利要求1所述的SPM清洗设备的晶圆静电释放装置，其特征在于：所述晶圆的背面放置在所述晶圆放置平台上，所述晶圆的正面朝上，所述离子喷嘴位于所述晶圆的上方。

7.如权利要求1所述的SPM清洗设备的晶圆静电释放装置，其特征在于：所述离子发生器设置在所述清洗腔体内部。

8.如权利要求7所述的SPM清洗设备的晶圆静电释放装置，其特征在于：所述SPM清洗设备包括传输装置。

9.一种SPM清洗设备的晶圆静电释放方法，其特征在于，包括如下步骤：

步骤一、进行晶圆静电释放装置的设置，所述晶圆静电释放装置包括离子发生器和离子喷嘴，所述离子喷嘴和所述离子发生器连接，所述离子发生器产生正负电荷；所述离子喷嘴设置在SPM清洗设备的清洗腔体中；

步骤二、将晶圆放置在所述清洗腔体中的晶圆放置平台上；

步骤三、通过所述离子发生器产生正负电荷，所述正负电荷通过所述离子喷嘴喷射到所述晶圆的表面实现所述晶圆表面的静电释放。

10.如权利要求9所述的SPM清洗设备的晶圆静电释放方法，其特征在于：所述离子喷嘴的喷出位置的纵向坐标能调节，通过调节所述离子喷嘴的喷出位置的纵向坐标调节所述离子喷嘴的喷出位置和所述晶圆之间的间距，所述间距越小，正负电荷达到所述晶圆的表面前中和的量越少，所述晶圆表面的静电释放效果越明显。

11.如权利要求10所述的SPM清洗设备的晶圆静电释放方法，其特征在于：所述间距小于30厘米。

12.如权利要求9或10所述的SPM清洗设备的晶圆静电释放方法，其特征在于：所述离子喷嘴的喷出位置的横向坐标能调节，通过调节所述离子喷嘴的喷出位置的横向坐标调节所述离子喷嘴的喷出位置所覆盖的所述晶圆的区域。

13.如权利要求9或10所述的SPM清洗设备的晶圆静电释放方法，其特征在于：所述离子喷嘴的喷射正负电荷的时间能调节，通过调节所述离子喷嘴的喷射正负电荷的时间来将所述晶圆表面的静电完全去除。

14.如权利要求9所述的SPM清洗设备的晶圆静电释放方法，其特征在于：所述晶圆的背面放置在所述晶圆放置平台上，所述晶圆的正面朝上，所述离子喷嘴位于所述晶圆的上方。

15.如权利要求9所述的SPM清洗设备的晶圆静电释放方法，其特征在于：所述SPM清洗设备包括传输装置。