[发明专利]底部发光型微发光二极管显示器及其修补方法在审
| 申请号： | 201810375036.6 | 申请日： | 2018-04-24 |
| 公开（公告）号： | CN108807450A | 公开（公告）日： | 2018-11-13 |
| 发明（设计）人： | 吴炳升;吴昭文 | 申请（专利权）人： | 启端光电股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L27/15 | 分类号： | H01L27/15 |
| 代理公司： | 北京中原华和知识产权代理有限责任公司 11019 | 代理人： | 寿宁;张华辉 |
| 地址： | 中国台湾台*** | 国省代码： | 中国台湾;71 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 微发光二极管 底部发光型 透明基板 导光层 显示器 光线控制 反射层 侧边 反射 漏光 修补 局限 发射 | ||
1.一种底部发光型微发光二极管显示器，包含:
透明基板；
微发光二极管，设于该透明基板上；
导光层，围绕该微发光二极管，用以将该微发光二极管所产生的光线控制导向该透明基板；及
反射层，形成于该导光层上，用以反射该微发光二极管所产生的光线使其向下发射，且局限该微发光二极管所产生的光线使其不会向上或向侧边漏光。
2.根据权利要求1所述的底部发光型微发光二极管显示器，其特征在于，更包含选择电极，设于该透明基板上，电性连接至该微发光二极管的第一电极。
3.根据权利要求2所述的底部发光型微发光二极管显示器，其特征在于，其中该微发光二极管为垂直型微发光二极管。
4.根据权利要求3所述的底部发光型微发光二极管显示器，其特征在于，其中该反射层作为共电极，并电性连接至该微发光二极管的第二电极。
5.根据权利要求3所述的底部发光型微发光二极管显示器，其特征在于，更包含绝缘层，设于该透明基板上，该绝缘层的部分被蚀刻以暴露该透明基板，且该选择电极设于该暴露的透明基板上。
6.根据权利要求2所述的底部发光型微发光二极管显示器，其特征在于，其中该微发光二极管为覆晶型微发光二极管。
7.根据权利要求6所述的底部发光型微发光二极管显示器，其特征在于，更包含：
绝缘层，设于该透明基板与该选择电极上；及
导电层，设于该绝缘层上，该导电层电性连接至该选择电极；
其中该微发光二极管的第一电极接合且电性连接于该导电层。
8.根据权利要求6所述的底部发光型微发光二极管显示器，其特征在于，更包含共电极，设于该微发光二极管与该透明基板之间，并电性连接至该微发光二极管的第二电极。
9.根据权利要求1所述的底部发光型微发光二极管显示器，其特征在于，其中该透明基板包含玻璃。
10.根据权利要求1所述的底部发光型微发光二极管显示器，其特征在于，其中该导光层包含折射系数大于1.4的透光材质。
11.根据权利要求1所述的底部发光型微发光二极管显示器，其特征在于，其中该导光层包含聚合物。
12.根据权利要求1所述的底部发光型微发光二极管显示器，其特征在于，其中该反射层包含导电物质。
13.根据权利要求12所述的底部发光型微发光二极管显示器，其特征在于，其中该反射层包含金属。
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H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的；包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的；包括有热磁组件的
