[发明专利]接地环、腔室以及物理气相沉积设备

说明书

本公开提供一种接地环、腔室以及物理气相沉积设备。接地环包括：第一导电环、第二导电环以及将第一导电环和第二导电环电连接的多个弹性装置，其中，第一导电环的第一中心轴线与第二导电环的第二中心轴线平行或重合，多个弹性装置被配置为使得第一导电环和第二导电环可沿第一中心轴线的方向相对运动。该接地环中的弹性装置可以增大第一导电环与第二导电环之间的调节范围。

技术领域

本公开的实施例涉及一种接地环、腔室以及物理气相沉积设备。

背景技术

在集成电路制造工艺中，物理气相沉积(Physical Vapor Deposition，PVD)方式由于薄膜一致性、均匀性更优且工艺窗口更宽，能实现深宽比较高的通孔填充等工艺，被广泛用于沉积许多种不同的金属层、硬掩膜等相关材料层。但物理气相沉积溅射设备若要实现高密度TiN、其他金属及金属化合物高密度薄膜的沉积则需要对工艺参数进行多方面的调整，必要时还需要增加硬件配置来实现工艺目标以满足更加先进的集成电路工艺的需求。

常规的直流溅射设备很难满足更先进制程的需求，因此，射频与直流共溅射的溅射系统开始广泛应用于先进的工艺制程。射频与直流共溅射的设备较直流设备相比具有更高的等离子体密度，更低的溅射粒子能量，在无损伤工艺、高密度薄膜的制备、薄膜性能的改善等方面具有更多优势。

发明内容

根据本公开的一个实施例提供一种接地环腔室以及物理气相沉积设备。该接地环包括：第一导电环、第二导电环以及将所述第一导电环和所述第二导电环电连接的多个弹性装置，其中，所述第一导电环的第一中心轴线与所述第二导电环的第二中心轴线平行或重合，所述多个弹性装置被配置为使得所述第一导电环和所述第二导电环可沿所述第一中心轴线的方向相对运动。

在一些示例中，沿所述第一中心轴线的方向，所述第一导电环与所述第二导电环之间可相对运动的距离为1-30mm。

在一些示例中，所述多个弹性装置中的每个包括：连接杆，被配置为限定所述第一导电环和所述第二导电环的相对运动方向为沿所述第一中心轴线的方向；以及套设在所述连接杆上的弹性部件，所述弹性部件被配置为通过发生形变以使所述第一导电环和所述第二导电环沿所述第一中心轴线的方向相对运动。

在一些示例中，所述弹性部件的一端与所述第一导电环相对固定，所述弹性部件的另一端与所述第二导电环相对固定。

在一些示例中，所述第一导电环和所述第二导电环的至少之一与所述弹性装置的连接处设置有第一诱电线圈，以增强所述第一导电环和所述第二导电环的至少之一与所述弹性装置之间的导电性。

在一些示例中，所述多个弹性装置沿所述第一导电环的周向均匀分布。

在一些示例中，所述多个弹性装置的数量不少于8个。

在一些示例中，沿所述第一中心轴线的方向，所述第一导电环与所述第二导电环部分交叠，所述弹性部件位于所述第一导电环与所述第二导电环的交叠部分之间。

在一些示例中，所述第一导电环的内径小于所述第二导电环的内径，所述第一导电环包括第一环形侧壁，所述第一环形侧壁在所述第一导电环的径向方向上的截面沿所述第一中心轴线的方向延伸，且所述第二导电环的内侧端部沿所述第一导电环的径向方向与所述第一环形侧壁之间的距离不超过5mm。

在一些示例中，所述第一导电环的内径小于所述第二导电环的内径，所述第二导电环包括第二环形侧壁，所述第二环形侧壁在所述第二导电环的径向方向上的截面沿所述第二中心轴线的方向延伸，且所述第一导电环的外侧端部沿所述第二导电环的径向方向与所述第二环形侧壁之间的距离不超过5mm。