[发明专利]有机发光显示面板及其制备方法、显示装置有效
申请号: | 201810373842.X | 申请日: | 2018-04-24 |
公开(公告)号: | CN108598114B | 公开(公告)日: | 2020-06-02 |
发明(设计)人: | 宋振;王国英 | 申请(专利权)人: | 京东方科技集团股份有限公司 |
主分类号: | H01L27/32 | 分类号: | H01L27/32;H01L51/56;G09G3/32 |
代理公司: | 北京律智知识产权代理有限公司 11438 | 代理人: | 李华;崔香丹 |
地址: | 100015 *** | 国省代码: | 北京;11 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 有机 发光 显示 面板 及其 制备 方法 显示装置 | ||
提供一种有机发光显示面板,包括盖板和背板,所述盖板包括:盖板玻璃,在所述盖板玻璃上形成有R、G、B三种彩膜;绝缘覆盖层,覆盖所述盖板玻璃;BM区,形成在所述绝缘覆盖层上,并定义出像素区;隔离柱,形成于所述BM区;辅助阴极,形成于所述隔离柱和所述绝缘覆盖层上;以及所述背板包括:有源层阵列;平坦化层,形成于所述有源层阵列上,对应于所述像素区具有凸台;OLED器件,形成于所述凸台上。还提供该有机发光显示面板的制备方法和包含该有机发光显示面板的显示装置。本发明的显示面板中OLED器件设置在凸台上,缩小了与盖板玻璃间的距离,可以有效提升面板亮度。
技术领域
本发明涉及显示技术领域,尤其涉及一种有机发光显示面板、其制备方法及显示装置。
背景技术
顶发射显示技术用于实现大尺寸OLED 8K UHD显示,该技术涉及TFT背板和彩膜盖板的独立制作,以及后段封装压合工艺。
封装压合工艺过程中,首先要沿玻璃基板外围喷涂一定厚度和宽度的围墙胶(Dam胶),Dam胶的厚度和封装时的气压基本上决定了面板(panel)上下基板间的厚度。上下基板间的空隙由填充物(Filler胶)进行填充。因此,对于顶发射显示,OLED器件发出的光出射时需要先后经过较厚的Filler(5~7um),绝缘覆盖层(OC层)以及彩色滤光层(CF层),因此可能出现高灰阶下面板亮度较低的问题,无法满足高动态范围图像(HDR)的要求。
发明内容
为了克服上述缺陷,本发明提供一种亮度提高了的有机发光显示面板、其制备方法,和包括该显示面板的显示装置。
本发明一方面提供一种有机发光显示面板,一种有机发光显示面板,包括盖板和背板。所述盖板包括:盖板玻璃,在所述盖板玻璃上形成有R、G、B三种彩膜;绝缘覆盖层,覆盖所述盖板玻璃;BM区,形成在所述绝缘覆盖层上,并定义出像素区;隔离柱,形成于所述BM区;辅助阴极,形成于所述隔离柱和所述绝缘覆盖层上。所述背板包括:有源层阵列;平坦化层,形成于所述有源层阵列上,对应于所述像素区具有凸台;OLED器件,形成于所述凸台上。
根据本发明的一实施方式,每个像素中的相邻子像素间的彩膜发生交叠。
根据本发明的另一实施方式,所述彩膜交叠部分的宽度是3-5μm。
根据本发明的另一实施方式,所述OLED器件与所述辅助阴极相互交错。
本发明另一方面还提供一种显示面板的制备方法,包括形成盖板步骤和形成背板步骤。所述形成盖板步骤包括:在盖板玻璃上形成R、G、B三种彩膜;在形成有所述R、G、B三种彩膜的所述盖板玻璃上形成绝缘覆盖层;在所述绝缘覆盖层上形成BM区,并定义出像素区;在所述BM区上形成用隔离柱;在所述隔离柱和所述绝缘覆盖层上沉积金属层,并刻蚀走线,形成辅助阴极。所述形成背板步骤包括:在有源层阵列上形成平坦化层,所述平坦化层对应于所述像素区具有凸台;在所述凸台上形成OLED器件。
根据本发明的一实施方式,形成具有所述凸台的所述平坦化层的步骤是先形成覆盖所述有源阵列的第一平坦化层,然后在所述第一平坦化层上、对应于所述像素区形成第二平坦化层以形成所述凸台。
根据本发明的另一实施方式,形成具有所述凸台的所述平坦化层的步骤是形成覆盖所述有源阵列的平坦化层,然后除去对应于非像素区的部分平坦化层以形成所述凸台。
根据本发明的另一实施方式,每个像素中的相邻子像素间的彩膜发生交叠。
根据本发明的另一实施方式,所述制备方法还包括封装背板和盖板步骤,封装后所述OLED器件与所述辅助阴极相互交错。
本发明的第三方面提供一种包括上述显示面板的显示装置。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
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H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
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