[发明专利]一种垂直结构纳米阵列LED及其制备方法有效
| 申请号： | 201810373123.8 | 申请日： | 2018-04-24 |
| 公开（公告）号： | CN108831902B | 公开（公告）日： | 2021-08-31 |
| 发明（设计）人： | 李国强 | 申请（专利权）人： | 河源市众拓光电科技有限公司 |
| 主分类号： | H01L27/15 | 分类号： | H01L27/15 |
| 代理公司： | 广州市越秀区哲力专利商标事务所(普通合伙) 44288 | 代理人： | 郭佳利;郭裕彬 |
| 地址： | 517000 广东省河*** | 国省代码： | 广东;44 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 一种 垂直 结构 纳米 阵列 led 及其 制备 方法 | ||
1.一种垂直结构纳米阵列LED，其特征在于，包括在衬底上依次复合的底电极层、第一石墨烯层、伞状GaN纳米柱阵列层、P型GaN薄膜、AlxInyGa1-x-yN薄膜、第二石墨烯层和顶电极层；所述第一石墨烯层上复合有图形化隔离层；其中，x＝0-0.35，y＝0-0.07；所述伞状GaN纳米柱阵列层自核向壳包括依次复合的GaN纳米柱芯、n型GaN纳米内壳和In(Al)GaN纳米外壳。
2.如权利要求1所述的垂直结构纳米阵列LED，其特征在于，所述伞状GaN纳米柱阵列层的高度为400-800nm，内壳的厚度为15-50nm，外壳的厚度为5-15nm。
3.如权利要求1所述的垂直结构纳米阵列LED，其特征在于，所述底电极层厚度为50-300nm、所述伞状GaN纳米柱阵列层的高度400-800nm、所述P型GaN薄膜的厚度为30-100nm、所述AlxInyGa1-x-yN薄膜的厚度为20-100nm、所述顶电极层的厚度为3-12nm。
4.如权利要求1所述的垂直结构纳米阵列LED，其特征在于，所述伞状GaN纳米柱的柄部与第一石墨烯层电性连接、顶部与P型GaN薄膜电性连接。
5.如权利要求1所述的垂直结构纳米阵列LED，其特征在于，所述底电极层的材料为Au、Pt或Au/Ni/Al/Ti复合金属。
6.如权利要求1所述的垂直结构纳米阵列LED，其特征在于，所述图形化隔离层的材质为SiN、SiN2、SiO2或Al2O3。
7.如权利要求6所述的垂直结构纳米阵列LED，其特征在于，所述图形化隔离层是通过磁控溅射或等离子体辅助化学气相沉积在第一石墨烯层的表面溅射隔离层，掩膜在隔离层上溅射金属硬膜，对金属硬膜进行刻蚀，湿法腐蚀去金属硬膜并洗涤而成，所述金属硬膜材料为Zn、Ti或Cu。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于河源市众拓光电科技有限公司，未经河源市众拓光电科技有限公司许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/pat/books/201810373123.8/1.html，转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇：背照式图像传感器及其制作方法
- 下一篇：一种LED显示单元组及显示面板
- 同类专利
- 专利分类
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的；包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的；包括有热磁组件的
