[发明专利]坩埚结构及其制作方法与硅晶结构及其制作方法

权利要求书

1.一种坩埚结构，适于制作硅晶结构，其特征在于，该坩埚结构包括：

坩埚本体，该坩埚本体的材料包括二氧化硅；以及

离型涂层，直接覆盖该坩埚本体，该离型涂层的材料包括硅酸钡，其中该硅酸钡为连续膜层，用以接触该硅晶结构，而该离型涂层的厚度介于35微米至350微米之间。

2.如权利要求1所述的坩埚结构，其特征在于，该坩埚本体是由石英砂热压合而成者。

3.如权利要求1所述的坩埚结构，其特征在于，该坩埚本体的中心线平均粗糙度介于5微米至35微米之间。

4.如权利要求1所述的坩埚结构，其特征在于，还包括：

中间层，配置于该坩埚本体与该离型涂层之间，其中该中间层包括重量百分比介于80％至100％之间的二氧化硅。

5.如权利要求1所述的坩埚结构，其特征在于，该离型涂层的材料还包括氮化硅，且该硅酸钡与该氮化硅的比介于10:90至99:1之间。

6.如权利要求1所述的坩埚结构，其特征在于，该离型涂层为硅酸钡涂层。

7.一种坩埚结构的制作方法，该坩埚结构适于制作硅晶结构，其特征在于，该坩埚结构的制作方法包括：

提供坩埚本体，其中该坩埚本体的材料包括二氧化硅；

涂敷包含钡化合物材料的离型涂层原材于该坩埚本体上；以及

加热该坩埚本体与该离型涂层原材，以形成直接覆盖该坩埚本体的离型涂层，该离型涂层的材料包括硅酸钡，其中该硅酸钡为连续膜层用以接触该硅晶结构，而该离型涂层的厚度介于35微米至350微米之间。

8.如权利要求7所述的坩埚结构的制作方法，其特征在于，涂敷该离型涂层原材于该坩埚本体上的步骤，包括：

将包括有为碳酸钡或氢氧化钡的该钡化合物材料喷涂于该坩埚本体上。

9.如权利要求8所述的坩埚结构的制作方法，其特征在于，该钡化合物材料的喷涂量介于0.3×10^-2g/cm²至5×10^-2g/cm²之间。

10.如权利要求7所述的坩埚结构的制作方法，其特征在于，该坩埚本体是由石英砂热压合而成。

11.如权利要求7所述的坩埚结构的制作方法，其特征在于，该离型涂层原材的材料还包括氮化硅，且该钡化合物材料与该氮化硅的比介于10:90至99:1之间。

12.如权利要求7所述的坩埚结构的制作方法，其特征在于，该离型涂层为硅酸钡涂层。

13.一种硅晶结构的制作方法，其特征在于，包括：

提供坩埚本体，该坩埚本体的材料包括二氧化硅；

涂敷包含钡化合物材料的离型涂层原材于该坩埚本体上；

填充硅料于该坩埚本体内，该离型涂层原材位于该坩埚本体与该硅料之间；

加热该坩埚本体、该离型涂层原材以及该硅料至第一温度，以形成直接覆盖该坩埚本体的离型涂层，该离型涂层的材料包括硅酸钡，其中该硅酸钡为连续膜层用以接触该硅晶结构，而该离型涂层的厚度介于35微米至350微米之间；

从该第一温度加热该坩埚本体、该离型涂层以及该硅料至第二温度，使该硅料形成熔融态硅料；以及

冷却该坩埚本体，使该熔融态硅料形成直接接触该离型涂层的该硅晶结构。

14.如权利要求13所述的硅晶结构的制作方法，其特征在于，该第一温度小于该硅料的熔点温度，且该第一温度介于1200度至1400度之间。

15.如权利要求13所述的硅晶结构的制作方法，其特征在于，该第二温度大于该硅料的熔点温度，且该第二温度介于1412度至1600度之间。