[发明专利]一种具有PVD涂层的钛合金切削刀具材料及其制备方法有效
申请号: | 201810372099.6 | 申请日: | 2018-04-23 |
公开(公告)号: | CN108559957B | 公开(公告)日: | 2019-09-20 |
发明(设计)人: | 刘杰;邓欣;伍尚华;梅海娟;王瑞 | 申请(专利权)人: | 广东工业大学 |
主分类号: | C23C14/32 | 分类号: | C23C14/32;C23C14/02;C23C14/06;C23C14/18;C23C28/00 |
代理公司: | 广州市华学知识产权代理有限公司 44245 | 代理人: | 陈燕娴 |
地址: | 510090 广东省*** | 国省代码: | 广东;44 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 钛合金 制备 多元涂层 切削刀具材料 刀具 物理气相沉积 制备保护涂层 抗机械冲击 耐磨性 刀具涂层 工艺制备 合金元素 摩擦系数 抛光清洗 切削刀具 热稳定性 使用寿命 阴极电弧 粘结底层 粘结倾向 综合性能 蒸镀 | ||
1.一种具有PVD涂层的钛合金切削刀具材料的制备方法,采用物理气相沉积技术中的阴极电弧蒸镀工艺制备多元涂层,其特征在于,上述工艺过程包括如下步骤:
对试样刀具进行抛光清洗:依次采用水磨砂纸逐级打磨,抛光处理,喷砂处理,使用丙酮及乙醇分别对试样刀具进行超声波清洗;
制备粘接底层:安装Ti靶,将清洁后的刀具置于工件架上后,送入真空室,使基体与弧源之间的垂直距离为200~300mm,抽真空至低于10-3Pa,并同时对工件进行升温使其达到预设温度;通入氮气,氮气流量为600~650sccm,施加基体偏压-80V~-220V,在试样表面沉积TiN粘结底层;
制备主涂层:所述主涂层为TiCNO及TiCN混合涂层:采用的Ti靶,Ti靶电弧电流为60~65A,沉积温度为260~270℃,基体偏压为-80V~-220V,保持并通入氮气,C2H2及CO混合气体至反应室中反应,氮气的流量为400~500sccm,C2H2的流量为150~300sccm,CO的流量为80~200sccm,生成制备TiCNO及TiCN混合涂层;
制备保护涂层:所述保护涂层为TiAlZr/TiAlZrCr涂层,TiAlZr/CrN涂层,TiAlZr/ZrN涂层,TiAl/CrN涂层或TiAl/TiAlCr涂层,在制备上述多元涂层时,采取与涂层相对应的靶材及靶电弧电流,通入氮气或氩气,沉积温度为260~270℃,基体偏压为-80V~-220V。
2.根据权利要求1所述的具有PVD涂层的钛合金切削刀具材料的制备方法,其特征在于:还包括离子清洗步骤,具体为对试样刀具施加基体偏压为-350V,通入开启引弧装置,在高真空度下引弧,Ti靶所发射的离子到达试样表面,对试样表面进行离子溅射清洗,清洗时间为5~10分钟。
3.根据权利要求1或2所述的具有PVD涂层的钛合金切削刀具材料的制备方法,其特征在于:所述TiAlZr/TiAlZrCr涂层的制备方法为:采用TiAlZr靶,电弧电流为50~60A,沉积温度为260~270℃,基体偏压为-80V~-220V,并通入氩气,氩气的流量为500~650sccm,沉积TiAlZr涂层,TiAlZr涂层的厚度为300~500μm;随后采用TiAlZr靶及Cr靶,TiAl靶电弧电流为50~60A,Cr靶电弧电流为40A,沉积温度为260~270℃,基体偏压为-80V~-220V,并通入氩气及氮气,氩气的流量下降为300~400sccm,氮气的流量为200~400sccm,沉积TiAlZrCr涂层,TiAlZrCr涂层厚度为200~400μm。
4.根据权利要求1或2所述的具有PVD涂层的钛合金切削刀具材料的制备方法,其特征在于:所述TiAlZr/CrN涂层的制备方法为:采用TiAlZr靶,采用TiAlZr靶,电弧电流为50~60A,沉积温度为260~270℃,基体偏压为-80V~-220V,并通入氩气,氩气的流量为500~650sccm,沉积TiAlZr涂层,TiAlZr涂层的厚度为200~500μm;然后采用Cr靶,Cr靶电弧电流为60A,沉积温度为260~270℃,基体偏压为-80V~-220V,并通入氩气及氮气,氩气的流量下降为300~400sccm,氮气的流量为200~400sccm,沉积CrN涂层,CrN涂层厚度为200~400μm。
5.根据权利要求1或2所述的具有PVD涂层的钛合金切削刀具材料的制备方法,其特征在于:所述TiAlZr/ZrN涂层的制备方法为:采用TiAlZr靶,采用TiAlZr靶,电弧电流为50~60A,沉积温度为260~270℃,基体偏压为-80V~-220V,并通入氩气,氩气的流量为500~650sccm,沉积TiAlZr涂层,TiAlZr涂层的厚度为200~500μm;然后制备Zr涂层,采用Zr靶,Zr靶电弧电流为60A,沉积温度为260~270℃,基体偏压为-80V~-220V,并通入氩气及氮气,氩气的流量下降为300~400sccm,氮气的流量为200~400sccm,沉积ZrN涂层,ZrN涂层厚度为200~400μm。
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