[发明专利]用于图案化应用的原子层蚀刻、反应性前体和能量源

权利要求书

1.一种处理半导体衬底的方法，所述方法包括：

向处理室提供包含含碳材料中的特征的图案的半导体衬底；以及

通过原子层蚀刻修整所述含碳材料中的所述特征以减小关键尺寸并形成具有基本垂直的侧壁的经修整的含碳特征，所述原子层蚀刻包括：

在没有等离子体的情况下将所述含碳材料中的所述特征的表面暴露于含氧气体以使所述含碳材料的所述表面改性，从而形成所述含碳材料的经改性的表面；和

将所述含碳材料的所述经改性的表面暴露于惰性气体并点燃等离子体以除去所述含碳材料的所述经改性的表面并形成所述经修整的含碳特征。

2.根据权利要求1所述的方法，其中所述含氧气体选自由氧气、臭氧、水蒸气、一氧化二氮、一氧化碳、甲酸蒸气、二氧化碳及其组合组成的组。

3.根据权利要求1所述的方法，其中所述惰性气体选自由氦气、氮气、氩气及其组合组成的组。

4.根据权利要求1所述的方法，其中所述含碳材料选自由旋涂碳、光致抗蚀剂和无定形碳组成的组。

5.根据权利要求1所述的方法，其中所述处理室被设定为介于约1托和约10托之间的室压强。

6.根据权利要求1所述的方法，其中所述等离子体使用介于约50W与250W之间的等离子体功率来点燃。

7.根据权利要求1所述的方法，其还包括于在没有等离子体的情况下将所述含碳材料中的所述特征的所述表面暴露于所述含氧气体与将所述含碳材料的所述经改性的表面暴露于所述惰性材料气体并点燃所述等离子体之间吹扫所述处理室。

8.根据权利要求7所述的方法，其中所述室被吹扫持续介于约0.1秒至约0.5秒之间的持续时间。

9.根据权利要求1所述的方法，其中所述原子层蚀刻还包括将所述暴露所述含碳材料中的所述特征的所述表面以及所述暴露所述含碳材料的所述经改性的表面重复多个循环。

10.根据权利要求9所述的方法，其中执行大约5个循环到大约100个循环。