[发明专利]具有指纹识别功能的显示基板、方法及显示装置有效
申请号: | 201810371548.5 | 申请日: | 2018-04-24 |
公开(公告)号: | CN108598111B | 公开(公告)日: | 2021-01-29 |
发明(设计)人: | 牛菁;羊振中;张方振 | 申请(专利权)人: | 京东方科技集团股份有限公司 |
主分类号: | H01L27/32 | 分类号: | H01L27/32;G06K9/00 |
代理公司: | 北京清亦华知识产权代理事务所(普通合伙) 11201 | 代理人: | 黄德海 |
地址: | 100015 *** | 国省代码: | 北京;11 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 具有 指纹识别 功能 显示 方法 显示装置 | ||
本发明公开了一种具有指纹识别功能的显示基板、方法及显示装置,具有指纹识别功能的显示基板包括:下基板;上基板,上基板具有有效接触区;发光件,发光件位于上基板和下基板之间,且被构造成能够向上基板发射光;感光件,感光件为包含有III‑V族元素的化合物薄膜,感光件位于上基板和下基板之间,感光件适于接收由发光件发出并经有效接触区反射的光信号、且将光信号转化为电信号。根据本发明的具有指纹识别功能的显示基板,通过设置发光件和感光件,并使感光件为包含有III‑V族元素的化合物薄膜,感光件适于接收由发光件发出并经有效接触区反射的光信号、且将光信号转化为电信号,如此,便于进一步识别指纹信息,还有利于提高指纹识别的灵敏度。
技术领域
本发明涉及显示技术领域,特别是涉及一种具有指纹识别功能的显示基板、方法及显示装置。
背景技术
OLED即有机发光二极管(Organic Light-Emitting Diode),是指有机半导体材料和发光材料在电场驱动下,通过载流子注入和复合导致发光的现象,其原理是用ITO透明电极和金属电极分别作为器件的阳极和阴极,在一定电压驱动下,电子和空穴分别从阴极和阳极注入到电子传输层和空穴传输层,电子和空穴分别经过电子和空穴传输层迁移到发光层,并在发光层中相遇,形成激子并使发光分子激发,后者经过辐射弛豫而发出可见光。
OLED显示技术与传统的LCD显示方式不同,无需背光灯,采用非常薄的有机材料涂层和玻璃基板,当有电流通过时,这些有机材料就会发光。而且OLED显示屏幕可以做得更轻更薄,可弯曲,可视角度更大,并且能够显著节省电能。
光学指纹识别技术将手指放在光学镜片上,手指在内置光源照射下,用棱镜将其投射在电荷耦合器件(CCD)上,进而形成脊线(指纹图像中具有一定宽度和走向的纹线)呈黑色、谷线(纹线之间的凹陷部分)呈白色的数字化的、可被指纹设备算法处理的多灰度指纹图像。
相关技术中具有指纹识别功能的结构以及OLED显示结构存在指纹识别效率低、识别灵敏度差的不足。
发明内容
本发明旨在至少解决现有技术中存在的技术问题之一。为此,本发明提出一种具有指纹识别功能的显示基板,所述具有指纹识别功能的显示基板有利于提高指纹识别的灵敏度,且集成度提高。
本发明还提出一种具有指纹识别功能的显示基板的指纹识别方法。
本发明又提出一种具有指纹识别功能的显示基板的显示装置。
根据本发明第一方面实施例的具有指纹识别功能的显示基板,包括:下基板;上基板,所述上基板具有有效接触区;发光件,所述发光件位于所述上基板和所述下基板之间,且被构造成能够向所述上基板发射光;感光件,所述感光件为包含有III-V族元素的化合物薄膜,所述感光件位于所述上基板和所述下基板之间,所述感光件适于接收由所述发光件发出并经所述有效接触区反射的光信号、且将所述光信号转化为电信号。
根据本发明实施例的具有指纹识别功能的显示基板,通过设置发光件和感光件,并使感光件为包含有III-V族元素的化合物薄膜,感光件适于接收由发光件发出并经有效接触区反射的光信号、且将光信号转化为电信号,如此,便于进一步识别指纹信息,还有利于提高指纹识别的灵敏度。
另外,根据本发明上述实施例的具有指纹识别功能的显示基板还具有如下附加的技术特征:
进一步地,所述感光件为铜铟镓硒薄膜。
根据本发明的一些实施例,所述感光件与所述发光件间隔开且共用阴极。
根据本发明的一些实施例,所述感光件的阳极与所述发光件的阳极同层设置。
根据本发明的一些实施例,所述感光件的上表面与所述上基板的下表面之间的距离不小于所述发光件的上表面与所述上基板的下表面之间的距离,且所述感光件的厚度在1微米以下。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的