[发明专利]SiC单晶的制造方法和制造装置有效
| 申请号： | 201810370122.8 | 申请日： | 2018-04-24 |
| 公开（公告）号： | CN108796609B | 公开（公告）日： | 2021-03-09 |
| 发明（设计）人： | 土井雅喜;大黑宽典;加渡干尚;佐藤友大;关和明;楠一彦;岸田丰 | 申请（专利权）人： | 丰田自动车株式会社 |
| 主分类号： | C30B29/36 | 分类号： | C30B29/36;C30B9/06 |
| 代理公司： | 中国贸促会专利商标事务所有限公司 11038 | 代理人： | 陈冠钦 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | sic 制造 方法 装置 | ||
1.SiC单晶的制造方法，其是使保持于晶种保持轴的晶种基板接触放入石墨坩埚且具有从内部向液面温度降低的温度梯度的Si-C溶液从而使SiC单晶进行晶体生长的SiC单晶的制造方法，包括：
利用感应线圈对上述Si-C溶液进行电磁搅拌以使其流动，和
利用电阻加热器对上述石墨坩埚的下部进行加热。
2.权利要求1所述的SiC单晶的制造方法，其中，对上述石墨坩埚的下部进行加热包括：对上述石墨坩埚的底部进行加热以及对保持上述石墨坩埚的底部的坩埚保持轴进行加热中的至少一者。
3.权利要求1或2所述的SiC单晶的制造方法，其中，包括利用上述电阻加热器进一步对上述石墨坩埚的侧部进行加热。
4.SiC单晶的制造装置，其是具备收容Si-C溶液的石墨坩埚、感应线圈、电阻加热器和在铅垂方向可移动地配置的晶种保持轴并且使保持于上述晶种保持轴的晶种基板接触以具有从内部向液面温度降低的温度梯度的方式被加热了的上述Si-C溶液，从而使SiC单晶从上述晶种基板生长的基于溶液法的SiC单晶的制造装置，其中，
上述石墨坩埚通过上述石墨坩埚的底部保持于坩埚保持轴，
上述感应线圈配置在上述石墨坩埚的侧部的周围，
上述电阻加热器配置在对上述石墨坩埚的下部进行加热的位置。
5.权利要求4所述的SiC单晶的制造装置，其中，所述电阻加热器配置在面对上述石墨坩埚的底部下面的位置以及上述坩埚保持轴的周围中的至少一者。
6.权利要求4或5所述的SiC单晶的制造装置，其中，上述电阻加热器进一步配置在上述石墨坩埚的侧部的周围以及上述感应线圈的内侧。
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