[发明专利]一种适用于高频光电导衰减法测量半导体级单晶硅少子寿命的预处理方法在审
| 申请号： | 201810365224.0 | 申请日： | 2018-04-20 |
| 公开（公告）号： | CN108549003A | 公开（公告）日： | 2018-09-18 |
| 发明（设计）人： | 高召帅;张天雨;姜浩;李福中;于跃;吴锋 | 申请（专利权）人： | 江苏鑫华半导体材料科技有限公司 |
| 主分类号： | G01R31/26 | 分类号： | G01R31/26;B24B37/02;C30B33/10 |
| 代理公司： | 南京苏高专利商标事务所(普通合伙) 32204 | 代理人： | 肖明芳 |
| 地址： | 221004 江苏省*** | 国省代码： | 江苏;32 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 单晶硅棒 预处理 少子寿命 单晶硅 测量半导体 化学抛光 光电导 衰减法 边界效应 表面复合 晶体结构 深能级 硅棒 冲洗 测量 金属 加工 | ||
【权利要求书】：
1.一种适用于高频光电导衰减法测量半导体级单晶硅少子寿命的预处理方法，其特征在于，包括以下步骤：
(1)将单晶硅棒加工成圆柱形；
(2)将步骤(1)得到的单晶硅棒进行化学抛光；
(3)冲洗完成化学抛光的单晶硅棒，干燥。
2.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，步骤(1)中，利用研磨机将单晶硅棒加工成圆柱形。
3.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，步骤(1)中，所述的单晶硅棒是完成区熔处理的单晶硅棒。
4.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，步骤(2)中，所述的化学抛光是利用HF/HNO3混合体系进行化学抛光。
5.根据权利要求4所述的方法，其特征在于，所述的HF/HNO3混合体系中，HF和HNO3体积比为1∶(2-4)。
6.根据权利要求4所述的方法，其特征在于，化学抛光的时间为5-8min。
7.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，步骤(3)中，利用超高纯水冲洗完成化学抛光的单晶硅棒。
8.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，步骤(3)中，所述的干燥为将硅棒表面的水分吹干。
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于江苏鑫华半导体材料科技有限公司，未经江苏鑫华半导体材料科技有限公司许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/pat/books/201810365224.0/1.html，转载请声明来源钻瓜专利网。
