[发明专利]一种热电材料在审
申请号: | 201810363872.2 | 申请日: | 2018-04-22 |
公开(公告)号: | CN108447973A | 公开(公告)日: | 2018-08-24 |
发明(设计)人: | 不公告发明人 | 申请(专利权)人: | 中山太桂电子科技有限公司 |
主分类号: | H01L35/16 | 分类号: | H01L35/16;H01L35/34 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 热电材料 制备 聚酰亚胺 纳米尺度 热电薄膜 热电系数 热电性能 制造工艺 复合材料 | ||
本发明公开了一种热电材料及其制造工艺,具体是一种聚酰亚胺/Bi2Te3‑xFex热电薄膜复合材料及其制备方法。本发明的技术方案制备的热电材料可达纳米尺度,热电性能好,热电系数高。
技术领域
本发明涉及热电材料领域,尤其涉及一种纳米热电材料及其制造工艺。
背景技术
热电效应是指当物体两端温度不同时,物体中的载流子将顺着温度梯度由高温区向低温区扩散,致使低温区的载流子数目逐渐多于高温区,从而建立内建电场。热电材料是一种能够降温差转变为电势差的材料,从而将温差变成一种资源。因此,人们随时随地都有可以利用的电源。与传统发电、制冷设备相比,利用热电效应及其逆效应制成的设备具有取用方便、设备简单、无噪声、无污染等诸多优点。中国发明专利CN 104885241 A公开了一种具有优异性能的热电转换材料。该热电材料包含 Cu 和 Se,其中包含 Cu原子和 Se 原子的晶体在特定温度下同时具有多个不同的晶体结构。
中国发明专利CN 107737921 A提供了一种热电材料及其制备方法,通过含有Ni2+的化学镀液对Cu2SnSe3热电粉末进行包覆,还原后得到具有Ni镀层的Cu2SnSe3-Ni复合粉体,然后经过压制和两步加热烧结步骤,得到块状热电材料,加工时间短,制备量大,粉体包覆均匀,处理工艺简单,设备成本较低,适合规模化生产,所得热电材料热导率低、电导率高,ZT值有明显提升。
然而,当前的热电材料普遍存在热电效应弱、电压低的问题,限制了其应用。
发明内容
发明目的:本发明的目的在于提供一种热点系数高的热电材料及其制造工艺,以推动热电材料的产业化。本发明的目的是提供一种聚酰亚胺/Bi2Te3-xFex热电薄膜复合材料及其制备方法。
本发明的技术方案及具体制备过程如下:
(1)将四酸二酐、有机二胺加入溶剂中,制备聚酰胺酸溶液;所述溶剂为非质子溶液;
(2)在温度为10-40℃、相对湿度为20-80%条件下,将聚酰胺酸溶液真空脱气后,将上述聚酰胺酸溶液涂覆到基材上,然后放置入乙醇的水溶液中;所述基材包含但不限于玻璃、不锈钢;
(3)将多孔膜在温度为200℃以下的环境中干燥;
(4)将上述聚酰胺酸膜的升温到300℃以上的温度亚胺化,得到多孔的聚酰亚胺膜;
(5)将聚酰亚胺膜进行超声清洗。
(6)将清洁处理后的聚酰亚胺膜置于磁控溅射样品室,溅射Bi2Te3-xFex;所用溅射靶材为块体Bi2Te3-xFex,溅射真空度高于1× 10-3Pa,工作气体为0.4~0.8Pa的高纯氩气,样品室温度为100℃~150℃,沉积功率为10~20W,样品支架旋转速度为60~100转/分钟。在溅射过程中,会有大量的Bi2Te3-xFex的晶体生长于薄膜内部,并且其尺寸受薄膜内孔隙的限制。这样能够保证材料的纳米尺度。
其中X的范围为0.05~0.2。
作为优选, 聚酰亚胺膜的孔径小于100纳米,进一步优选为50纳米以下。
作为优选,四酸二酐、有机二胺的比例为1:0.95~0.95:1,进一步优选为1:0.99~0.99:1。
作为优选,聚酰胺酸溶液的固含量为8-20%。
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