[发明专利]TFT阵列基板及液晶显示面板有效

专利信息
申请号: 201810362233.4 申请日: 2018-04-20
公开(公告)号: CN108508667B 公开(公告)日: 2020-07-28
发明(设计)人: 高玲;虞晓江 申请(专利权)人: 武汉华星光电技术有限公司
主分类号: G02F1/1362 分类号: G02F1/1362;G02F1/1368
代理公司: 深圳市德力知识产权代理事务所 44265 代理人: 林才桂;鞠骁
地址: 430070 湖北省武汉市*** 国省代码: 湖北;42
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摘要:
搜索关键词: tft 阵列 液晶显示 面板
【权利要求书】:

1.一种TFT阵列基板,其特征在于,包括衬底基板(200)及设于衬底基板(200)上的平坦化层(400);

所述衬底基板(200)的一端设有凹槽(260),所述衬底基板(200)包括功能区(201)及位于功能区(201)外侧的外围区(202);所述平坦化层(400)具有与衬底基板(200)的功能区(201)对应的第一部分(410);所述第一部分(410)靠近凹槽(260)的区域设有至少一个凹坑(420);

所述凹坑(420)的深度小于第一部分(410)的厚度;

还包括位于所述衬底基板(200)与所述平坦化层(400)之间的多个TFT器件及设于所述平坦化层(400)上的多个像素电极;所述功能区(210)对应于显示面板的显示区,所述外围区(202)对应于显示面板的非显示区。

2.如权利要求1所述的TFT阵列基板,其特征在于,在所述平坦化层(400)的横截面上,所述第一部分(410)设有凹坑(420)的区域内单位面积上凹坑(420)所占的面积在沿第一部分(410)指向凹槽(260)的方向上逐渐增大。

3.如权利要求2所述的TFT阵列基板,其特征在于,所述第一部分(410)上靠近所述凹槽(260)的区域内单位面积上凹坑(420)的数量大于所述第一部分(410)上远离所述凹槽(260)的区域内单位面积上凹坑(420)的数量。

4.如权利要求2所述的TFT阵列基板,其特征在于,所述第一部分(410)上靠近所述凹槽(260)的区域内的凹坑(420)的内径大于所述第一部分(410)上远离所述凹槽(260)的区域内的凹坑(420)的内径。

5.如权利要求3或4所述的TFT阵列基板,其特征在于,所述第一部分(410)靠近凹槽(260)的区域设有N列凹坑(420),每一列凹坑(420)中的多个凹坑(420)与凹槽(260)之间的距离相同,其中,N为正整数;

每一列凹坑(420)中相邻两个凹坑(420)之间的间隔相等。

6.如权利要求5所述的TFT阵列基板,其特征在于,3≤N≤5。

7.如权利要求1所述的TFT阵列基板,其特征在于,所述凹坑(420)的深度为0.5um~3um。

8.如权利要求1所述的TFT阵列基板,其特征在于,所述衬底基板(200)设有凹槽(260)的一端包括依次连接的第一侧壁(210)、第二侧壁(220)、第三侧壁(230)、第四侧壁(240)及第五侧壁(250);所述第一侧壁(210)与第五侧壁(250)位于同一平面,所述第二侧壁(220)、第三侧壁(230)及第四侧壁(240)共同形成所述凹槽(260)。

9.如权利要求8所述的TFT阵列基板,其特征在于,所述第一侧壁(210)与所述第二侧壁(220)垂直,所述第二侧壁(220)与所述第三侧壁(230)垂直,所述第三侧壁(230)与所述第四侧壁(240)垂直。

10.一种液晶显示面板,其特征在于,包括相对设置的TFT阵列基板(10)与彩膜基板(20)、设于TFT阵列基板(10)与彩膜基板(20)之间的液晶层(30);

所述TFT阵列基板(10)为如权利要求1-9任一项所述的TFT阵列基板;

所述液晶层(30)的部分容纳于所述凹坑(420)内。

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