[发明专利]一种原子层沉积设备及气体传输方法有效
申请号: | 201810361982.5 | 申请日: | 2018-04-20 |
公开(公告)号: | CN110387537B | 公开(公告)日: | 2021-10-15 |
发明(设计)人: | 徐宝岗 | 申请(专利权)人: | 北京北方华创微电子装备有限公司 |
主分类号: | C23C16/455 | 分类号: | C23C16/455;C23C16/52 |
代理公司: | 北京思创毕升专利事务所 11218 | 代理人: | 孙向民;廉莉莉 |
地址: | 100176 北京市大*** | 国省代码: | 北京;11 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 一种 原子 沉积 设备 气体 传输 方法 | ||
1.一种原子层沉积设备,其特征在于,包括旁通管路和冷却管路,所述冷却管路用于冷凝且存储至少一种前驱体,其中,
所述旁通管路和所述冷却管路并联后连接在前驱体输入端和前驱体输出端之间,且所述前驱体输入端选择性地与所述旁通管路或所述冷却管路连通。
2.根据权利要求1所述的原子层沉积设备,其特征在于,所述冷却管路上设有热电偶和/或流量检测开关,以及液位传感器;
所述旁通管路上设有第一控制阀,所述冷却管路的入口处和出口处分别设有第二控制阀;
所述热电偶和/或所述流量检测开关位于两个所述第二控制阀之间。
3.根据权利要求1所述的原子层沉积设备,其特征在于,所述冷却管路的外壁缠绕冷却套筒和/或所述冷却管路内设有冷却介质。
4.根据权利要求1-3任意一项所述的原子层沉积设备,其特征在于,还包括工艺腔室、真空泵、多个前驱体源瓶,其中,
每个所述前驱体源瓶的出口端均与前驱体总管路的一端连接,且所述前驱体总管路的另一端分为第一传输支路和第二传输支路;
每个所述前驱体源瓶对应的所述第一传输支路汇入前驱体供应管路后与所述工艺腔室连接,每个所述前驱体源瓶对应的所述第二传输支路与腔室抽真空管路汇合后形成所述前驱体输入端;
所述真空泵的入口端和所述前驱体输出端连通。
5.根据权利要求4所述的原子层沉积设备,其特征在于,所述前驱体总管路上设有第三控制阀,所述第一传输支路上设有第四控制阀,所述第二传输支路上设有第五控制阀;
所述前驱体总管路通过所述第三控制阀和所述第四控制阀与所述工艺腔室选择性连通,所述前驱体总管路通过所述第三控制阀和所述第五控制阀与所述前驱体输入端选择性连通。
6.根据权利要求5所述的原子层沉积设备,其特征在于,所述腔室抽真空管路上设有第六控制阀;
所述腔室抽真空管路通过所述第六控制阀将所述工艺腔室与所述前驱体输入端选择性连通。
7.一种基于权利要求1-6中任一项所述原子层沉积设备的气体传输方法,其特征在于,包括:
将前驱体输入端与旁通管路连通,由所述前驱体输入端进入的其中一种前驱体流经所述旁通管路后由前驱体输出端流出;
将前驱体输入端与冷却管路连通,由所述前驱体输入端进入的其余种前驱体流经所述冷却管路,且经所述冷却管路冷凝呈液态后存储在所述冷却管路中。
8.根据权利要求7所述的原子层沉积设备的气体传输方法,所述原子层沉积设备包括用于容置第一前驱体的第一前驱体源瓶和用于容置第二前驱体的第二前驱体源瓶,其特征在于,所述原子层沉积设备的气体传输方法具体包括下述步骤:
打开腔室抽真空管路上的第六控制阀和所述旁通管路上的第一控制阀,工艺腔室内残余的第一前驱体流经所述旁通管路后经所述真空泵抽出;
打开所述第一前驱体源瓶对应的前驱体总管路上的第三控制阀、第二传输支路上的第五控制阀以及所述旁通管路上的第一控制阀,所述第一前驱体流经所述旁通管路后经所述真空泵抽出。
9.根据权利要求8所述的原子层沉积设备的气体传输方法,其特征在于,所述原子层沉积设备的气体传输方法具体包括下述步骤:
打开所述腔室抽真空管路上的第六控制阀和所述冷却管路的入口处和出口处的第二控制阀,所述工艺腔室内残余的第二前驱体流经所述冷却管路,且经所述冷却管路冷凝呈液态后存储在所述冷却管路中;
打开所述第二前驱体源瓶对应的前驱体供应管路上的第三控制阀、所述第二传输支路上的第五控制阀以及所述冷却管路的入口处和出口处的第二控制阀,所述第二前驱体流经所述冷却管路,且经所述冷却管路冷凝呈液态后存储在所述冷却管路中。
10.根据权利要求9所述的原子层沉积设备的气体传输方法,其特征在于,在前驱体通入所述工艺腔室之前进行下述步骤:
打开所述腔室抽真空管路上的第六控制阀、所述旁通管路上的第一控制阀,通过所述真空泵对所述工艺腔室抽真空。
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C23C 对金属材料的镀覆;用金属材料对材料的镀覆;表面扩散法,化学转化或置换法的金属材料表面处理;真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆
C23C16-00 通过气态化合物分解且表面材料的反应产物不留存于镀层中的化学镀覆,例如化学气相沉积
C23C16-01 .在临时基体上,例如在随后通过浸蚀除去的基体上
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