[发明专利]发光二极管阵列

权利要求书

1.一种发光二极管阵列，其特征在于，包含：

半导体叠层，包含第一区域和第二区域，该第一区域具有一上表面，该第二区域具有第一侧壁，该第一区域具有第二侧壁；

第一隔绝道，形成于该第一区域和该第二区域之间；

第二隔绝道，形成于该半导体叠层之中；

绝缘层，形成于该第一隔绝道内并覆盖该第一侧壁；

电性连接层，位于该半导体叠层之下；以及

电极连接层，直接接触该电性连接层并覆盖该第一区域的该上表面以及该第二侧壁；

其中，该电性连接层与该绝缘层于一垂直方向上彼此重叠。

2.如权利要求1所述的发光二极管阵列，其中，该电性连接层与该第一区域于该垂直方向上彼此重叠。

3.如权利要求1所述的发光二极管阵列，其中，该第二区域还具有第三侧壁，该绝缘层覆盖该第三侧壁。

4.如权利要求1所述的发光二极管阵列，其中，该半导体叠层依序包含一第一导电型半导体层、一活性层及一第二导电型半导体层。

5.如权利要求4所述的发光二极管阵列，其中，该第一导电型半导体层具有一宽度大于该第二导电型半导体层。

6.如权利要求4所述的发光二极管阵列，其中，该第一导电型半导体层的下表面为一粗糙面。

7.如权利要求1所述的发光二极管阵列，其中，该半导体叠层还包含第三区域，该第二隔绝道形成于该第二区域和该第三区域之间。

8.如权利要求1所述的发光二极管阵列，还包含基板位于该半导体叠层之下。

9.如权利要求8所述的发光二极管阵列，还包含接合层接合该基板与该半导体叠层。

10.如权利要求7所述的发光二极管阵列，还包含电性焊接垫，位于该第三区域上。

11.如权利要求1所述的发光二极管阵列，其中，该电性连接层与该第二隔绝道于该垂直方向上彼此重叠。

12.如权利要求1所述的发光二极管阵列，其中，该第二区域具有一上表面，该绝缘层覆盖该第二区域的该上表面。