[发明专利]通过原子层沉积形成平滑和共形的钴膜的方法和装置在审
| 申请号： | 201810358633.8 | 申请日： | 2018-04-20 |
| 公开（公告）号： | CN108847394A | 公开（公告）日： | 2018-11-20 |
| 发明（设计）人： | 罗郑硕;拉什纳·胡马雍 | 申请（专利权）人： | 朗姆研究公司 |
| 主分类号： | H01L21/48 | 分类号： | H01L21/48;H01L21/768 |
| 代理公司： | 上海胜康律师事务所 31263 | 代理人： | 李献忠;张华 |
| 地址： | 美国加利*** | 国省代码： | 美国;US |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 原子层沉积 共形 钴膜 反应物气体 方法和装置 生长抑制 平滑 制程 填充 形态学 台阶覆盖率 反应气体 金属栅极 特征填充 循环过程 可控性 钴前体 成核 触点 通孔 吸附 沉积 生长 制造 应用 改进 | ||
1.一种方法，其包括：
提供具有一个或多个特征的衬底，每个特征包括特征开口；以及执行用以沉积与所述一个或多个特征共形的钴层的多个循环，其中每个循环包括：
将所述特征暴露于一定剂量的钴前体以在所述一个或多个特征上形成被吸附的钴前体层；
将所述被吸附的钴前体层暴露于一定剂量的共反应物以使所述共反应物与所述一个或多个特征上的所述被吸附的钴前体层反应；以及
将所述特征暴露于所述共反应物和含氮钴生长抑制剂的一定剂量的混合物。
2.根据权利要求1所述的方法，其中将所述被吸附的钴前体暴露于所述一定剂量的共反应物以使所述共反应物与所述一个或多个特征上的所述被吸附的钴前体层反应在将所述特征暴露于所述共反应物和所述含氮钴生长抑制剂的所述一定剂量的混合物之前进行。
3.根据权利要求1所述的方法，其中将所述被吸附的钴前体暴露于所述一定剂量的共反应物以使所述共反应物与所述一个或多个特征上的所述被吸附的钴前体层反应在将所述特征暴露于所述共反应物和所述含氮钴生长抑制剂的所述一定剂量的混合物之后进行。
4.根据权利要求1所述的方法，其中所述钴前体具有根据(I)的结构：
其中R1是C1-C8-烷基，R2是C1-C8烷基，x是0、1或者2；并且y是0或者1。
5.根据权利要求1所述的方法，其中所述钴前体具有根据(II)的结构
6.根据权利要求1所述的方法，其中所述钴前体选自二羰基环戊二烯钴、羰基钴、脒基钴前体、二氮杂二烯钴复合物和脒基钴/胍基钴前体。
7.根据权利要求1至6中任一项所述的方法，其中在所述多个循环期间的所述衬底温度保持在不超过150℃的温度。
8.根据权利要求1-6中任一项所述的方法，其中在所述多个循环期间的所述衬底温度保持在不超过100℃的温度。
9.根据权利要求1-6中任一项所述的方法，其中在所述多个循环期间的所述衬底温度保持在不超过90℃的温度。
10.根据权利要求1-6中任一项所述的方法，其中所述钴层被沉积在阻挡层上。
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H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
