[发明专利]一种掩膜版差异的检测方法

说明书

本发明涉及半导体技术领域，尤其涉及一种掩膜版差异的检测方法，其中，包括：步骤S1，提供一第一晶粒阵列和一第二晶粒阵列，以及对应一第一掩膜版的第一图形和对应一第二掩膜版的第二图形；步骤S2，将第一图形曝光在第一晶粒阵列上，以及将第二图形曝光在第二晶粒阵列上；步骤S3，提取第一晶粒阵列和第二晶粒阵列中所有相同位置的成对的晶粒的图像进行比较生成比较结果；步骤S4，根据所有比较结果判断第一掩膜版和第二掩膜版的差异；能够对两块掩膜版之间的差异进行高精度的检测，不容易受到检测过程中各种因素的影响。

技术领域

本发明涉及半导体技术领域，尤其涉及一种掩膜版差异的检测方法。

背景技术

掩膜版在薄膜、塑料或玻璃基体材料上制作各种功能图形并精确定位，以便用于光致抗蚀剂涂层选择性曝光的一种结构。掩膜版所产生的图形是否精确，能够对相关工艺步骤产生直接的影响，从而影响最终的产品良率。

目前在掩模版检测机台一次仅可完成一块掩模版的图形检验，对于两块掩模版，尤其是不同版本的掩膜版，对于两个版本掩模版之间相同部分的差异性的检测只能在晶圆上进行检测，具体地可以将两块掩膜板曝光在同一片晶圆上面进行比较性的检验，而掩模版上的图形在经过一系列工艺流程转移到晶圆上之后，由于掩模版本身差异、光阻差异、光刻机4:1的曝光机理等因素的影响，其差异性检测的精度较低。

发明内容

针对上述问题，本发明提出了一种掩膜版差异的检测方法，其中，包括：

步骤S1，提供一第一晶粒阵列和一第二晶粒阵列，以及对应一第一掩膜版的第一图形和对应一第二掩膜版的第二图形；

步骤S2，将所述第一图形曝光在所述第一晶粒阵列上，以及将所述第二图形曝光在所述第二晶粒阵列上；

步骤S3，提取所述第一晶粒阵列和所述第二晶粒阵列中所有相同位置的成对的晶粒的图像进行比较生成比较结果；

步骤S4，根据所有所述比较结果判断所述第一掩膜版和所述第二掩膜版的差异。

上述的检测方法，其中，在所述第一晶粒阵列和所述第二晶粒阵列中相同位置的成对的所述晶粒的图像上分别设置相同的多个特征提取点；

所述步骤S3中，根据所述特征提取点处的图像的像素的比较生成所述比较结果。

上述的检测方法，其中，成对的所述晶粒的任一图像上设置有20个所述特征提取点。

上述的检测方法，其中，所述步骤S3中，采用一掩模版缺陷检测机台进行所述图像的比较。

上述的检测方法，其中，所述步骤S3中，所有成对的所述晶粒的所述图像的比较过程是同步完成的。

上述的检测方法，其中，所述第一晶粒阵列和所述第二晶粒阵列分别具有20个所述晶粒。

上述的检测方法，其中，所述第一晶粒阵列和所述第二晶粒阵列均为矩形阵列。

上述的检测方法，其中，所述第一掩膜版和所述第二掩膜版的版本不同。

有益效果：本发明提出的一种掩膜版差异的检测方法，能够对两块掩膜版之间的差异进行高精度的检测，不容易受到检测过程中各种因素的影响。

附图说明

图1为本发明一实施例中掩膜版差异的检测方法的步骤流程图；

图2～3分别为本发明一实施例中第一晶粒阵列和第二晶粒阵列的示意图。

具体实施方式

下面结合附图和实施例对本发明进行进一步说明。

在一个较佳的实施例中，如图1所示，提出了一种掩膜版差异的检测方法，其中，可以包括：