[发明专利]基于一维有机无机杂化聚合物链的电存储器件及其制备方法

权利要求书

1.一种基于一维有机无机杂化聚合物链的电存储器件的制备方法，其特征在于，包括以下步骤：

（1）在0℃条件下，将二价金属盐水溶液滴加到除氧的2,5-二氨基-1,4-苯二硫醇二盐酸盐有机溶液中，然后调节体系pH 值为7；然后在室温条件下搅拌反应6小时，制备有机无机杂化聚合物；所述二价金属盐为二氯化铂或者二氯化钯；

（2）将有机无机杂化聚合物溶于有机溶剂，制备有机无机杂化聚合物饱和溶液；

（3）将有机无机杂化聚合物溶液涂于基底上，制备有机膜层；然后在有机膜层上制备电极，得到基于一维有机无机杂化聚合物链的电存储器件。

2.根据权利要求1所述基于一维有机无机杂化聚合物链的电存储器件的制备方法，其特征在于，步骤（1）中，2,5-二氨基-1,4-苯二硫醇二盐酸盐和二价金属盐的摩尔比为1:1；所述2,5-二氨基-1,4-苯二硫醇二盐酸盐有机溶液中，溶剂为DMF；用氨水调节体系pH 值为7；步骤（2）中，有机无机杂化聚合物饱和溶液中，溶剂为DMSO和DMF混合溶剂。

3.根据权利要求1所述基于一维有机无机杂化聚合物链的电存储器件的制备方法，其特征在于，步骤（3）中，采用旋涂法将有机无机杂化聚合物饱和溶液涂于基底上，退火制备有机膜层；采用蒸镀法在有机膜层上制备电极；所述基底为ITO玻璃；所述有机膜层的厚度为80～100 nm；所述电极的厚度为80～100 nm。

4.根据权利要求3所述基于一维有机无机杂化聚合物链的电存储器件的制备方法，其特征在于，退火的条件为70℃真空条件下退火4 h；旋涂的转速500～1500 r/min，时间为5～15 s；蒸镀在5×10^-4 Pa真空条件下进行，蒸镀速率为2 Å/s。

5.根据权利要求1所述基于一维有机无机杂化聚合物链的电存储器件的制备方法制备的基于一维有机无机杂化聚合物链的电存储器件。

6.一维有机无机杂化聚合物膜作为电存储器件存储材料的应用，其特征在于，所述一维有机无机杂化聚合物膜的制备方法为：

（1）在0℃条件下，将二价金属盐水溶液滴加到除氧的2,5-二氨基-1,4-苯二硫醇二盐酸盐有机溶液中，然后调节体系pH 值为7；然后在室温条件下搅拌反应6小时，制备有机无机杂化聚合物；

（2）将有机无机杂化聚合物溶于有机溶剂，制备有机无机杂化聚合物饱和溶液；

（3）将有机无机杂化聚合物溶液成膜，制备一维有机无机杂化聚合物膜。