[发明专利]显示基板及其制备方法和显示面板有效
| 申请号: | 201810353912.5 | 申请日: | 2018-04-19 |
| 公开(公告)号: | CN108520890B | 公开(公告)日: | 2021-01-26 |
| 发明(设计)人: | 宋文峰 | 申请(专利权)人: | 京东方科技集团股份有限公司 |
| 主分类号: | H01L27/32 | 分类号: | H01L27/32;H01L51/50;H01L51/56 |
| 代理公司: | 北京天昊联合知识产权代理有限公司 11112 | 代理人: | 汪源;陈源 |
| 地址: | 100015 *** | 国省代码: | 北京;11 |
| 权利要求书: | 查看更多 | 说明书: | 查看更多 |
| 摘要: | |||
| 搜索关键词: | 显示 及其 制备 方法 面板 | ||
1.一种显示基板,其特征在于,包括:衬底基板以及位于所述衬底基板上的彩色发光层和磁场发生层;
所述彩色发光层包括:若干个彩色发光图形,所述彩色发光图形的材料包括:磁致折射率调节材料和分散于所述磁致折射率调节材料中的光致发光材料;
所述磁场发生层包括:与所述彩色发光图形一一对应的若干个透明电极,所述透明电极与对应的所彩色发光图形相对设置,所述透明电极用于根据接收到的驱动电流产生相应的磁场,以调节对应的所述彩色发光图形的折射率。
2.根据权利要求1所述的显示基板,其特征在于,所述磁致折射率调节材料包括:透明分散介质以及分散于所述透明分散介质中的透明磁性材料和折射率调控粒子;
所述透明磁性材料在所述透明分散介质中的分布可在外加磁场的控制下改变,从而调节所述彩色发光图形的密度和折射率。
3.根据权利要求2所述的显示基板,其特征在于,所述折射率调控粒子包括:二氧化硅纳米颗粒或二氧化锆纳米颗粒。
4.根据权利要求1所述的显示基板,其特征在于,还包括:与所述透明电极一一对应的若干个驱动结构,所述驱动结构用于根据调节电压产生驱动电流,并将所述驱动电流输出至对应的所述透明电极;
所述调节电压为预先设置的与所述彩色发光图形的折射率相对应的电压。
5.根据权利要求4所述的显示基板,其特征在于,所述显示基板还包括:若干条第一栅线和若干条第一数据线,所述第一栅线和所述第一数据线限定出若干个像素区域,全部所述像素区域构成像素阵列;
每个所述像素区域中均设置有一个所述彩色发光图形、与所述彩色发光图形对应的一个透明电极和与所述透明电极对应的一个驱动结构;
所述驱动结构包括:开关晶体管、驱动晶体管和存储电容;
所述开关晶体管的控制极与对应行的所述第一栅线连接,所述开关晶体管的第一极与对应列的所述第一数据线连接,所述开关晶体管的第二极与所述驱动晶体管的控制极连接;
所述驱动晶体管的控制极与存储电容的第一端连接,所述驱动晶体管的第一极与第一电源端连接,所述驱动晶体管的第二极与对应的所述透明电极的第一端连接,所述透明电极的第二端与第二电源端连接;
所述存储电容的第二端与所述第二电源端连接或接地。
6.根据权利要求1所述的显示基板,其特征在于,还包括:遮光图形,所述遮光图形覆盖所述显示基板上未设置有所述彩色发光图形的区域。
7.根据权利要求1-6中任一所述的显示基板,其特征在于,所述透明电极位于所述彩色发光图形背向所述衬底基板的一侧;
或者,所述透明电极位于所述彩色发光图形朝向所述衬底基板的一侧。
8.一种显示面板,其特征在于,包括:如上述权利要求1-7中任一所述的显示基板。
9.一种显示基板的制备方法,其特征在于,包括:
在衬底基板上形成磁场发生层和彩色发光层,其中,所述彩色发光层包括:若干个彩色发光图形,所述彩色发光图形的材料包括:磁致折射率调节材料和分散于所述磁致折射率调节材料中的光致发光材料;所述磁场发生层包括:与所述彩色发光图形一一对应的若干个透明电极,所述透明电极与对应的所彩色发光图形相对设置,所述透明电极用于根据接收到的驱动电流产生相应的磁场,以调节对应的所述彩色发光图形的折射率。
10.根据权利要求9所述的显示基板的制备方法,其特征在于,所述磁致折射率调节材料包括:透明分散介质以及分散于所述透明分散介质中的透明磁性材料和折射率调控粒子;
形成彩色发光图形的步骤包括:
将所述光致发光材料、所述透明磁性材料和所述折射率调控粒子均匀分散于所述透明分散介质溶液中,以得到混合溶液;
在所述衬底基板上旋涂所述混合溶液,并对其进行固化处理,以得到彩色发光薄膜;
对所述彩色发光薄膜进行图案化处理,以得到所述彩色发光图形。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于京东方科技集团股份有限公司,未经京东方科技集团股份有限公司许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服】
本文链接:http://www.vipzhuanli.com/pat/books/201810353912.5/1.html,转载请声明来源钻瓜专利网。
- 同类专利
- 专利分类
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的





