[发明专利]一种AZO源漏电极透明薄膜晶体管及其制备方法

说明书

本发明属于显示器件领域，公开了一种AZO源漏电极透明薄膜晶体管及其制备方法。将基底清洗，烘干预处理后在基底上通过等离子体增强化学气相沉积制备ITO栅极和Si₃N₄栅极绝缘层；在栅极绝缘层上使用脉冲直流磁控溅射沉积IGZO半导体层；然后使用射频磁控溅射在半导体层上沉积Al₂O₃半导体修饰层；最后在室温下使用脉冲激光沉积AZO源漏电极，得到AZO源漏电极透明薄膜晶体管。本发明通过激光脉冲沉积室温制备AZO源漏电极，在降低薄膜电阻率的同时且兼有优良的透明度，极大地提高了TFT的器件性能。

技术领域

本发明属于显示器件领域，具体涉及一种AZO源漏电极透明薄膜晶体管及其制备方法。

背景技术

目前将室温制备的纯AZO材料应用在TFT的源漏电极中主要面临的困难是AZO的电阻率较高，且作为TFT源漏电极的接触电阻很高，无法实现TFT器件的高性能。

现已有解决上述问题的技术主要是通过在AZO之间插入一层超薄Ag金属层，该金属层为薄膜提供了大量的电子，该三明治结构的薄膜可以实现电阻率的大幅度降低。([1]Park H K,Kang J W,Na S I,et al.Characteristics of indium-free GZO/Ag/GZO andAZO/Ag/AZO multilayer electrode grown by dual target DC sputtering at roomtemperature for low-cost organic photovoltaics[J].Solar Energy Materials&Solar Cells,2009,93(11):1994-2002.[2]Sutthana S,Hongsith N,Choopun S.AZO/Ag/AZO multilayer films prepared by DC magnetron sputtering for dye-sensitizedsolar cell application[J].Current Applied Physics,2010,10(3):813-816)。

上述技术虽然能室温制备出具有一定透明度且低电阻率的薄膜，但是中间的夹层超薄金属是Ag材料。Ag为贵重金属，其资源稀缺、成本高，多层结构会使流程复杂化增加工艺难度。三明治结构的AZO/Ag/AZO叠层薄膜在产业化的推进过程中会因为成本因素而受到阻碍。此外，AZO/Ag/AZO薄膜没有进行接触电阻等条件的优化，暂时没有实现在透明TFT的源漏电极上的应用。

发明内容

针对以上现有技术存在的缺点和不足之处，本发明的首要目的在于提供一种AZO源漏电极透明薄膜晶体管的制备方法。

本发明的另一目的在于提供一种通过上述方法制备得到的透明薄膜晶体管。

本发明目的通过以下技术方案实现：

一种AZO源漏电极透明薄膜晶体管的制备方法，包括如下制备步骤：

(1)将基底清洗，烘干预处理；

(2)在预处理后的基底上通过等离子体增强化学气相沉积(PECVD)制备ITO栅极和Si₃N₄栅极绝缘层；

(3)在栅极绝缘层上使用脉冲直流磁控溅射沉积IGZO半导体层；

(4)使用射频磁控溅射在半导体层上沉积Al₂O₃半导体修饰层；

(5)室温下使用脉冲激光沉积AZO源漏电极，得到AZO源漏电极透明薄膜晶体管。

进一步地，步骤(1)中所述清洗是指分别用去离子水和异丙醇超声清洗，所述的烘干是指在烘箱中80～85℃下烘干。