[发明专利]屏蔽栅场效应晶体管及其制造方法(锤形)有效
| 申请号： | 201810351438.2 | 申请日： | 2018-04-19 |
| 公开（公告）号： | CN108400094B | 公开（公告）日： | 2020-12-25 |
| 发明（设计）人： | 张帅;黄昕 | 申请（专利权）人： | 济南安海半导体有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/336 | 分类号： | H01L21/336;H01L29/78;H01L29/423 |
| 代理公司： | 上海大视知识产权代理事务所(特殊普通合伙) 31314 | 代理人： | 蔡沅 |
| 地址： | 250102 山东省济南市中国（山东）自由贸*** | 国省代码： | 山东;37 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 屏蔽 场效应 晶体管 及其 制造 方法 锤形 | ||
1.一种屏蔽栅场效应晶体管的制造方法，其特征在于，该方法包括以下步骤：
(1)在作为漏极的N+衬底上利用外延生长工艺产生N-区；
(2)在所述的N-区上设置掩模版进行第一次刻蚀形成位于该N-区内的沟槽；
(3)在所述沟槽内壁上设置掩模版进行第二次刻蚀加深所述的沟槽，形成台阶式沟槽；
(4)去除所述的掩模版，氧化修复所述沟槽的缺陷，并在器件表面淀积屏蔽栅氧化层；
(5)在所述沟槽底部进行屏蔽栅掺杂多晶硅淀积并回刻；
(6)刻蚀位于所述沟槽底部上方屏蔽栅侧壁的氧化层，减薄屏蔽栅侧壁氧化层；
(7)在所述沟槽内进行屏蔽栅第二次掺杂多晶硅淀积并回刻；
(8)对所述的屏蔽栅顶部进行多晶硅氧化；
(9)在所述的沟槽内淀积氧化层，回刻；
(10)在所述的N-区顶部进行P-body区注入和退火，形成P-body区；
(11)进行器件栅刻蚀、栅氧化、多晶硅淀积并刻蚀，形成位于所述沟槽顶部的栅极；
(12)在所述的P-body区顶部沿所述的沟槽进行N+注入；
(13)利用后段工艺在器件顶部形成源极。
2.根据权利要求1所述的屏蔽栅场效应晶体管的制造方法，其特征在于，所述的掩模版为氮化硅。
3.根据权利要求1所述的屏蔽栅场效应晶体管的制造方法，其特征在于，所述的步骤(6)具体为，
湿法刻蚀位于所述沟槽底部上方屏蔽栅侧壁的氧化层，减薄屏蔽栅侧壁氧化层。
4.根据权利要求1所述的屏蔽栅场效应晶体管的制造方法，其特征在于，所述的步骤(13)具体为，
利用后段工艺，设置层间介质层，P+注入及金属连线在器件顶部形成源极。
5.一种屏蔽栅场效应晶体管，其特征在于，利用权利要求1至4中任一项所述的制造方法制成。
6.根据权利要求5所述的屏蔽栅场效应晶体管，其特征在于，位于所述沟槽底部的屏蔽栅氧化层的厚度为0.7至1.7μm。
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H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
