[发明专利]太阳能电池硅片的氧化钝化方法及终端设备

说明书

本发明适用于太阳能电池技术领域，提供了一种太阳能电池硅片的氧化钝化方法及终端设备，该方法包括：通过氧化钝化工艺在第一预设数量的太阳能电池硅片的表面进行氧化钝化处理；获取经氧化钝化处理后的所述第一预设数量的太阳能电池硅片的第一理论电压值；获取第二预设数量的太阳能电池硅片的第二理论电压值；根据所述第一理论电压值和所述第二理论电压值判断所述氧化钝化工艺是否合格；在所述氧化钝化工艺合格时，通过所述氧化钝化工艺在除所述第一预设数量的太阳能电池硅片和所述第二预设数量的太阳能电池硅片外的太阳能电池硅片的表面进行氧化钝化处理。本发明能够提高太阳能电池的良品率。

技术领域

本发明属于太阳能电池技术领域，尤其涉及一种太阳能电池硅片的氧化钝化方法及终端设备。

背景技术

太阳能电池是一种将太阳能转化为电能的半导体器件。太阳能电池的良品率指太阳能电池生产线上制备的太阳能电池良品的数量与投入材料的理论产出数量的比值。良品率是衡量太阳能电池生产线优劣的重要指标。氧化钝化工艺是太阳能电池生产中的重要工艺步骤。传统的氧化钝化方法是将太阳能电池生产线上的硅片直接进行氧化钝化处理，这种方法常常导致太阳能电池的良品率低。

发明内容

有鉴于此，本发明实施例提供了一种太阳能电池硅片的氧化钝化方法及终端设备，以解决现有技术中太阳能电池良品率低的问题。

本发明实施例的第一方面提供了太阳能电池硅片的氧化钝化方法，包括：

通过氧化钝化工艺在第一预设数量的太阳能电池硅片的表面进行氧化钝化处理；

获取经氧化钝化处理后的所述第一预设数量的太阳能电池硅片的第一理论电压值；

获取第二预设数量的太阳能电池硅片的第二理论电压值；

根据所述第一理论电压值和所述第二理论电压值判断所述氧化钝化工艺是否合格；

在所述氧化钝化工艺合格时，通过所述氧化钝化工艺在除所述第一预设数量的太阳能电池硅片和所述第二预设数量的太阳能电池硅片外的太阳能电池硅片的表面进行氧化钝化处理。

可选的，所述获取经氧化钝化处理后的所述第一预设数量的太阳能电池硅片的第一理论电压值，包括：

通过镀膜工艺在经氧化钝化处理后的所述第一预设数量的太阳能电池硅片的表面进行镀膜；

通过烧结工艺对经镀膜后的所述第一预设数量的太阳能电池硅片进行烧结；

获取烧结后的所述第一预设数量的太阳能电池硅片的第一理论电压值。

可选的，所述获取第二预设数量的太阳能电池硅片的第二理论电压值，包括：

通过镀膜工艺在所述第二预设数量的太阳能电池硅片的表面进行镀膜；

通过烧结工艺对经镀膜后的所述第二预设数量的太阳能电池硅片进行烧结；

获取烧结后的所述第二预设数量的太阳能电池硅片的第二理论电压值。

可选的，所述根据所述第一理论电压值和所述第二理论电压值判断所述氧化钝化工艺是否合格，包括：

判断所述第一理论电压值是否大于或等于所述第二理论电压值，且所述第一理论电压值是否大于预设阈值；

所述在所述氧化钝化工艺合格时，通过所述氧化钝化工艺在除所述第一预设数量的太阳能电池硅片和所述第二预设数量的太阳能电池硅片外的太阳能电池硅片的表面进行氧化钝化处理，包括：

在所述第一理论电压值大于或等于所述第二理论电压值，且所述第一理论电压值大于所述预设阈值时，通过所述氧化钝化工艺在除所述第一预设数量的太阳能电池硅片和所述第二预设数量的太阳能电池硅片外的太阳能电池硅片的表面进行氧化钝化处理。