[发明专利]一种夹胶电致变色器件及其制备方法

权利要求书

1.一种夹胶电致变色器件，其特征在于：所述夹胶电致变色器件包括自下而上依次设置的第一衬底、第一透明导电层、电致变色层、离子层、离子存储层、第二透明导电层、离子阻挡层、隔离层、有机缓冲层、胶片和第二衬底；其中，所述胶片选用PVB胶片或者EVA胶片中的一种。

2.一种权利要求1所述的夹胶电致变色器件的制备方法，其特征在于：所述制备方法包括如下步骤：

（1）制备第一透明导电层：以清洁的高透明材料为第一衬底，并通过真空镀膜、蒸发镀膜或溶胶凝胶工艺在第一衬底的上表面形成一层厚度为20nm～400nm的透明导电薄膜，进而在第一衬底的上表面形成第一透明导电层；

（2）制备电致变色层：在第一透明导电层的表面采用镀膜方式镀上一层膜厚200nm～600nm的电致变色薄膜，形成电致变色层；

（3）制备离子层：通过镀膜方式在电致变色层的表面镀上一层膜厚为10nm～300nm的金属锂离子层，进而形成离子层；

（4）制备离子存储层：采用镀膜工艺在离子层的表面镀上一层膜厚为150nm～650nm的离子存储薄膜，进而形成离子存储层；

（5）制备第二透明导电层：通过真空镀膜、蒸发镀膜或溶胶凝胶工艺在离子存储层的表面形成一层厚度为20nm～400nm的透明导电薄膜，进而在离子存储层的表面形成第二透明导电层；

（6）制备离子阻挡层：以Si/SiAl为靶材，采用磁控溅射镀膜工艺在第二透明导电层的表面沉积一层厚度为20nm～80nm的离子阻挡层；

（7）制备隔离层：以Si、Ti、Al、Nb、Ta或B中的一种或几种为靶材，采用磁控溅射镀膜工艺在离子阻挡层的表面沉积一层厚度为100nm～1000nm的隔离层；

（8）涂布有机缓冲层：采用辊涂、旋涂或丝网印刷工艺在隔离层表面涂布一层厚度为0.3～0.8mm的有机缓冲层；

（9）胶片对位合片：将裁切好相应大小的PVB胶片或EVA胶片平铺在涂布有有机缓冲层的第一衬底和第二衬底中间，且两衬底的周边用夹具夹紧防止串；

（10）加热预压：合片后，利用真空密封胶条或真空袋进行真空抽气，抽真空压力为6千帕～105千帕，且真空抽气过程中对玻璃进行加热，加热温度：50～130℃，加热合片抽气时间为：20～40分钟；

（11）高压釜除泡：将抽气后的两衬底放置于高压釜中，关闭高压釜的舱门，将高压釜加热至55～150℃，同时通过冲入纯净的压缩空气调整压力为：8bar-15bar，进而通过高压釜的高温高压将合片在胶片内的空气排出。

3.根据权利要求2所述的夹胶电致变色器件的制备方法，其特征在于：所述步骤（1）和步骤（5）中的透明导电薄膜选用方块电阻为5～15ohm，可见光平均透过率＞83%的透明导电薄膜，且所述透明导电层的透明导电薄膜选用ITO、AZO、BZO或FTO中的一种或几种。

4.根据权利要求2所述的夹胶电致变色器件的制备方法，其特征在于：所述步骤（2）中的电致变色薄膜选用WO₃、MO₃、Nb₂O₅或TiO₂中的一种或几种。

5.根据权利要求2所述的夹胶电致变色器件的制备方法，其特征在于：所述步骤（3）中的金属锂离子层里掺杂有钽、铌或钴材料中的一种或几种。

6.根据权利要求2所述的夹胶电致变色器件的制备方法，其特征在于：所述步骤（4）中的离子存储薄膜选用NiOx或IrO₂中的一种或几种。

7.根据权利要求2所述的夹胶电致变色器件的制备方法，其特征在于：所述步骤（6）中离子阻挡层的离子阻挡薄膜选用SiOx、Nb₂O₅、Ta₂O₅或SiAlOx中的一种或几种。